作者查詢 / bt092001
作者 bt092001 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共46則
限定看板:Electronics
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18F→: 建議了解一下基本電子學,什麼是mod07/21 17:21
19F→: Mos07/21 17:22
6F→: HSpice有LV,LX等指令,可以直接probe04/06 09:52
2F→: Body effect,vth 變大,mos 等效阻值變大,VDS變大08/17 18:30
3F→: 建議可以先定性分析,看懂mos曲線等電器特性的物理意義08/17 18:37
4F→: ,再數據量化會理解比較快08/17 18:37
7F推: Input pair vsg 開太強了….08/16 12:39
8F推: 讓M1,M2 turn on弱一點,VDS會大一點08/16 12:42
5F→: 其實通常都是看vihvil 怎定,如果你的turn on不是50-5008/02 08:25
6F→: 呢08/02 08:25
3F→: tuning range 解析度掃細一點,vco C loading 檢查一下01/24 10:46
4F→: ,open loop 跟close loop有無不同01/24 10:46
7F→: 嘗試改解析度或算法看看01/25 07:55
1F推: 不確定是不是這樣,我猜REE太大,VE電壓分壓來看會上升12/10 18:46
2F→: ,ib要上升只能增加更多的VBE?12/10 18:46
3F→: 有點像是VBE到地的路線被REE限流了12/10 18:47
4F→: 如果我想錯了再麻煩板上先進修正12/10 18:49
1F→: 小訊號角度看增益或速度是不是你要的,大訊號角度就是,12/03 12:19
2F→: 你接在這個op上in 或out能不能操作在那個直流偏壓啊,這12/03 12:19
3F→: 個op 能動也要看前面跟後面電路能不能動12/03 12:19
4F→: 你輸出0.6v下一級接nmos一定開的相對差12/03 12:22
9F→: 原po有點像是去記守則,要考慮的東西反而是用在哪裡,12/03 12:31
10F→: 跟此電路接一起的其他電路能不能配合著用12/03 12:31
4F推: 還有wpe跟lod effect,半導體元件本身就不是理想的,光11/20 10:36
5F→: 是物理od 的長相不一樣或是不同種類mos蓋的光罩層不一11/20 10:36
6F→: 樣,一定會也有差,甚至離body距離也有差,覺得不用糾11/20 10:37
7F→: 結這部分,如果想詳知原理可以查樓上先進還有這邊提到11/20 10:37
8F→: 的關鍵字,實務上只要知道怎用,透過製程廠的manuel 大11/20 10:37
9F→: 概知道不同元件的範圍即可11/20 10:37
28F推: 先可以搞懂電晶體mosfet然後再來看懂VLSI06/30 16:03
35F推: 已私訊推薦書籍跟研讀方法,原po可以參考看看07/01 16:10