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作者 bluemkevin 在 PTT [ PC_Shopping ] 看板的留言(推文), 共45則
限定看板:PC_Shopping
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94F推: 黑貓算好的了...11/04 16:29
14F推: 良率低所以擴廠 XD10/12 12:15
15F→: NAND 和 DRAM 是同級,就讓我想到以前PTT有人說10/12 12:17
16F→: DRAM 大學生隨便就會做的東西 這種論點10/12 12:18
26F→: 你同級的定義是什麼? 我舉那個例子是指 PTT 看圖說10/12 14:36
27F→: 故事一堆,就像你一樣10/12 14:36
28F→: NAND 和 DRAM 用的 Device 就差多了10/12 14:51
29F→: 所有工廠的東西都不是學生能做出來的10/12 14:52
30F→: 無塵室學生做的亂七八糟10/12 14:53
31F→: 我指的是晶圓上的 電晶體Device10/12 14:58
33F→: 我打差"多"了 但你說差異不大10/12 15:10
34F→: NOR FLASH 和 NAND FLASH 在同一家公司都會分開分析10/12 15:12
35F→: 所需預算及各有各的專屬研發人員,DRAM和FLASH更是10/12 15:14
36F→: 分立許久10/12 15:15
37F→: 到底是差異不大到互斥 還是差異大到互斥?10/12 15:32
82F→: 其實我不太懂為什麼你要一直引用新聞資料10/12 19:59
83F→: 不在產業的人當然覺得 1T+1C 和 1T 差不多10/12 20:00
84F→: 甚至覺得各家 FinFET 都是一樣的東西10/12 20:02
85F→: 元件操作特性都差那麼多的東西 你的同級到底是指什10/12 20:04
86F→: 麼?10/12 20:05
87F→: 那你是 S 家的工程師嗎?10/12 20:06
88F→: 所以也就是看圖說故事10/12 20:17
89F推: 是因為20nm 左右對大部分FET 家族都是個坎10/12 20:36
90F→: 所以要嘛就是提出新結構來解決不然就是堆疊10/12 20:37
91F→: 20nm 以上的 NAND 或是 3D NAND 也都會是挑戰10/12 20:38
92F→: 這邊不是有投入資本就一定會解決問題的10/12 20:39
93F→: 更正 20 nm 以下的 NAND10/12 20:39
94F→: 電荷存的地方不同,特定部位結構或材料需求都不一樣10/12 20:46
95F→: 基本上不要說20nm NAND 4X nm 3X nm 都讓領先的廠商10/12 20:48
96F→: 顯得鶴立雞群。然後即使是製程落後的公司都是分工很10/12 20:50
97F→: 細。要像電晶體剛發明的時代,同群人可以這也做那也10/12 20:51
98F→: 做是不可能。管理群基本上都會先喊不同製程可以無痛10/12 20:52
99F→: 接軌,但就是賭工程師能不能拼到,也是有轉得不順到10/12 20:54
100F→: 原有研發團隊都打掉重練的10/12 20:54
28F→: DRAM 製程和 3D NAND 製程差很多吧10/11 21:46
31F→: 不要說 DRAM 和 3D NAND,Planar NAND 和 3D NAND10/11 21:48
32F→: 都差一段距離10/11 21:48
34F→: 晶圓廠轉產品很常見,問題不是像開關隨時轉來轉去10/11 21:51
62F→:其實就是量產成功率的問題06/09 10:30
238F→:毛利率高不等於賺錢啊 intel 這一回真的遇到瓶頸10/18 08:01
79F推:建議飲料自備01/05 22:38
83F推:我記得包場應該還是可以帶飲料進去還是不行?01/05 22:53
84F→:曾經去過那兩三次 然後喝到神奇的飲料01/05 22:54
110F→:這個板的生日居然和我生日同天09/07 21:14
2F→:推…07/27 11:32
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