Re: [情報] DRAM接連出狀況，市場供貨吃緊仍未改

看板PC_Shopping作者 (smallchu)時間6年前 (2017/10/12 10:52), 6年前編輯推噓-4(12推 16噓 72→)
留言100則, 15人參與, 6年前最新討論串1/1
有『業內』的版友說我根本不懂這些nand flash、dram互斥不互斥問題，甚至要我進業內 再說， 說真的，就算都業內的還是會分國內國外，而這國內的廠跟國外的廠，上下游定位也不同 。 我言盡於此，還要追究對錯的『業內版友』可以自己去找人家三星、美光、海力士的生產 資料，反正內部公司資料比外界清楚，主管職拿到的資料會更多，我就不再提了。 這麼有爭議，那我這篇只提dram，不提其它。 ※ 引述《Ekmund (是一隻小叔)》之銘言： : 原標題： : 三星 美光 1x 奈米製程 DRAM 接連出狀況，市場供貨吃緊仍沒改善 : 內文： : 自 2016 年中開始，DRAM 記憶體供貨不足，造成市場價格全面上漲的情況，如今又要 多 : 加一個變數。那就是 DRAM 記憶體的市場龍頭三星，在 2017 年 2 月中旬陸續召回部 分 : 序號的 18 奈米製程的記憶體模組，並且再重新出貨給客戶之後，仍然發生有瑕疵的狀 況 : 。而且，此事件已影響了名列前茅的 PC 大廠在 DPPM (每百萬台的不良率) 有大幅提 升 : 的狀況。再加上，不僅是三星出現這樣的情況，連美光 (Micron) 的 17 奈米製程 PC : DRAM 記憶體模組都有類似的情形發生，如此也為 2017 年 DRAM 市場的供貨狀況與價 格 : 變化再投下不確定因素。 : 根據科技新報從供應鏈所掌握的消息，市場原本預計，在進入 2017 年第 2 季之後， 因 : 為有三星 18 奈米的 PC DRAM 記憶體模組與美光 17 奈米的 PC DRAM 記憶體模組相繼 出 : 貨，供貨吃緊的狀況應該可以得到緩解。不料，三星繼上次召回有瑕疵的 18 奈米製程 的 : PC DRAM 記憶體模組之後，近期再次出貨的情況仍舊沒有改善，還因而造成 PC大廠在 : DPPM ( 每百萬台的不良率) 有大幅提升的狀況。而除了三星之外，美光的 17 奈米製 程 : PC DRAM 記憶體模組也碰上相類似的情況。甚至以目前出貨給客戶的樣本來看，良率 還 : 低於 50% 以下。 : 據了解，由於美光原本答應在 2017 年第 2 季給客戶的 PC DRAM 記憶體模組中，會包 含 : 部分的 17 奈米製程產品。如今，在 17 奈米製程的 PC DRAM 記憶體模組良率有問題 的 : 情況下，美光又無法再回頭提供 20 奈米製程的產品給客戶，這也使得美光陷入兩難的 狀 : 態。 : 美光在 PC DRAM 記憶體模組上分為兩個系列，Rexchip 系列的產品，目前製程已經由 : 25 奈米製程推進到17奈米，而 Inotera 系列則仍舊停留在 20 奈米的製程上。而目 前 : 美光的 Rexchip 系列 17 奈米製程產品，在設計與製程上都與前一代的 25 奈米製程 產 : 品有很大的差異。因此，良率不高一直是在美光預期中的結果。只是，美光預估，一旦 : Rexchip 系列 17 奈米製程產品可以達到 50% 以上的良率，則從晶圓切下來的裸晶晶 粒 : 數量就已經能夠達到平衡成本的需求。因此，當時美光才會堅持生產 17 奈米製程產品 。 : 不料，如今連 50% 的良率都不容易達到。 : 而美光為了解決這樣的問題，則預計在 Rexchip 系列 17 奈米製程產品再重新設計一 版 : 新的產品。而此版本的產品，原本預計在 2017 年第 4 季底才會出貨，而美光則是將 時 : 程提早於第 3 季底。不過，即便如此，2017 年自第 2 季開始陸續兩季的 PC DRAM 記 憶 : 體模組供貨吃緊的情況仍將難以改善，價格也將持續的不斷攀升。 : 供應鏈知情人士指出，近期不論是三星或美光在 PC DRAM 記憶體模組發生的狀況，除 了 : 顯示出市場持續供貨吃緊的情況之外，也表示 DRAM 製程在進化至 20 奈米以下之際， 連 : 過去製程轉換都一直非常順暢的三星，也同樣會出現問題的情況下，顯見製程轉換真有 其 : 難度。至於，目前 PC DRAM 記憶體模組三大廠中，僅有 SK 海力士還沒有轉換製程至 : 20 奈米以下的製程。雖然，看似在時程上較競爭對手落後，但實際來說卻是現階段市 場 : 上最獲利的公司。 : 至於，就當前 DRAM 記憶體的價格變化，因為近期有價格下滑的情況，也開始引起市場 人 : 士的關注，擔心是否為 DRAM 變化的開始。市場人士表示，在市場供貨吃緊的情況下， : DRAM 價格未來一到兩季仍呈現上揚的局面。而近期會出現下滑的情況，主要是在現貨 價 : 的部分，因為過去的一番漲幅，使得現貨價已經超越合約價，近期勢必有所調漲整之外 ， : 因為 DDR3 的供應隨著系統轉換到 DDR4 的規格上，使得 DDR3 的價格有出現下滑的情 況 : 。不過，絕大多數的 DDR4 價格依舊不斷看漲。 http://goo.gl/SuKuUh IC Insights指出，今年DRAM位元出貨量實際比去年少，NAND Flash出貨量也僅小幅成長2 %，DRAM和NAND Flash價格自去年下半年起漲，截至今年第2季止，DRAM售價每季平均上漲 16.8%，NAND Flash售價每季則上漲11.6%；預今年DRAM全年漲幅可達64%，NAND Flash全 年漲幅也達33%。在產品售價勁揚下，今年DRAM與NAND Flash產值可望同步大幅攀高。 集邦則強調，今年DRAM需求端，尤其是智慧型手機領域，需求並沒有特別強勁，但供貨吃 緊主要是DRAM產業持續製程轉進不易，造成的供貨緊縮，使平均銷售單價居高不下；短期 內因未見新增產能的前提下，預計DRAM供貨吃緊狀態將延續至明年。 如果有人要嘴集邦不專業的，那我也沒轍。 這篇資料版友也可以看， http://goo.gl/mz45RM DRAM資本支出主要用於先進製程轉換及維持原有月產能，加上進入3D NAND時代，NAND及D RAM產能難以互相轉換，預估DRAM今年位元年成長率20%~25%，NAND則高於45%。 說單純是數據中心需求大所以漲了也全然不對，這篇有講原因版友可以自行點開當作補充 ： https://goo.gl/bqaKzw 三家只有一家要擴廠，為什麼？ 因為要提升良率。 這是良率報表，可以看出端倪： 更正，這是asp報表，下面我再補充 https://i.imgur.com/iBwwqN2.jpg
為什麼兩件產品的ASP都往下掉，卻在市場上反而喊漲？ 我認為是有需求量因素在，以及良率的因素在，實際上3d namd良率較低反而因為擴廠， 維持了一定的生產量..... 當然，上面是推論的， 理性而言，因為擴廠而產能上升，nand flash的asp下降。 （我言盡於此，若版友還要爭的還是請海涵） 簡單說，保守估計Dram會漲到明年，在新的廠商量產前大概都會這樣，各版友可自行斟酌 購買時機。 題外話： nand flash跟dram這兩個是同級產品，我真的再也懶得爭裡面有沒有互斥的關係了，來這 邊也不是來爭論誰對的，拿自己認知上的一面之詞爭對錯是不好的，既然有版友認為要分 開看，那我就不再多做解釋，也給彼此一個空間，只要是正確的，答案隨著時間自然會出 來。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 49.216.226.229 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/PC_Shopping/M.1507776720.A.641.html
推
10/12 11:17, 6年前 , 1F
推分享~~~
10/12 11:17, 1F
→
10/12 11:18, 6年前 , 2F
差了32G也夠用這5年了
10/12 11:18, 2F
推
10/12 11:24, 6年前 , 3F
只能繼續撐了QQ
10/12 11:24, 3F
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10/12 11:25, 6年前 , 4F
你轉去stock板 或是 techjob板 我看你會不會被噓爆
10/12 11:25, 4F
噓
10/12 11:45, 6年前 , 5F
所以你還是沒講為什麼互斥啊顆顆
10/12 11:45, 5F
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10/12 11:46, 6年前 , 6F
找了一堆資料 結果都無法佐證自己 真的不懂你在幹
10/12 11:46, 6F
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10/12 11:46, 6年前 , 7F
嘛
10/12 11:46, 7F
推
10/12 11:47, 6年前 , 8F
不要太認真 嘴來嘴去是休閒 你看i A大戰多歡樂
10/12 11:47, 8F
噓
10/12 11:50, 6年前 , 9F
他最核心的論點是“互斥” 但每次都說自己懶得說XD
10/12 11:50, 9F
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10/12 11:51, 6年前 , 10F
說穿了還不是看mobile01人家寫的舊資料
10/12 11:51, 10F
我還是可以嘴你，你用你的公司、你的觀點看世界是不對的，不如您說說您是三星、海力 士還是美光的職員呢？這樣場面太尷尬了吧..... 動不動就嘴mobile01，您又知道我是查mobile01來的唷？不是吧..... 喔我附帶這張表： https://imgur.com/MS6G8VD.png
你的3d nand 再多，2017Q3也多不過50% 良率您公司的資料自己有，新聞也都說過不超過50%（你可以說新聞爛，那我沒意見，反 正你有公司資料） 不是3d nand的20nm nand技術不知道跟dram互通性有多高，這點也許你比我清楚xD，我就 再附上一篇： https://goo.gl/W3Nbgr 說穿了我認為還是種田選二穫還是三穫稻子的問題。 好啦，你可以說人家顧問差，我也沒意見。 當然，我用我的觀點看也未必全面 在這點就別爭了，針對這問題我不想再跟你繼續爭，堅持己見，就各退一步別再吵這個。 我今天也是跟版友討論而已，這麼久了，您半個資料都沒舉過，就說兩個產線不會互斥， 我也舉這麼多資料了，您還有意見那就不爭了.....
推
10/12 11:52, 6年前 , 11F
基本上華亞科被鎂光買惹以後就該預期有這一天惹QQ
10/12 11:52, 11F
噓
10/12 11:57, 6年前 , 12F
然後你圖裡面畫ASP 說明卻寫良率 指鹿為馬？
10/12 11:57, 12F
推
10/12 12:08, 6年前 , 13F
應該說 當年的價格破壞者英飛凌收手不玩之後
10/12 12:08, 13F
推
10/12 12:15, 6年前 , 14F
良率低所以擴廠 XD
10/12 12:15, 14F
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10/12 12:17, 6年前 , 15F
NAND 和 DRAM 是同級，就讓我想到以前PTT有人說
10/12 12:17, 15F
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10/12 12:18, 6年前 , 16F
DRAM 大學生隨便就會做的東西 這種論點
10/12 12:18, 16F
良率低不是我說的這點也是資料都有，其實我說良率低所以擴廠不太對，修正一下，應該 說是擴廠後，即便良率低還是能維持一定產量。 但是如果認為我這麼膚淺的說過dram大學生做的出來，或是產線隨便能換就換，想投產就 投產就能有產出來，那就是你不對了 還有，即便是同級產品，生產一樣會有技術限制，沒那麼簡單說dram可以隨便跳nand fla sh，更甚至是直接玩3d nand https://goo.gl/Xrx22V 0良率就是0良率，事實擺在眼前，技術門檻就在那邊 同級產品不代表沒有技術沒有製程要克服要修改。
推
10/12 12:26, 6年前 , 17F
照他的論點連送青瓦台錢都是互斥啊
10/12 12:26, 17F
推
10/12 12:31, 6年前 , 18F
你那張圖只說明了DRAM價格持續瘋狂增長 NAND回穩中
10/12 12:31, 18F
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10/12 12:31, 6年前 , 19F
而已耶？ 要怎樣腦補才能從那張圖看到良率很鳥
10/12 12:31, 19F
抱歉我講的太快也寫錯了部份，我前面重新補充一下並修正部份內容， 當然，是有推測成份的，請海涵 （有公司內部資料就看公司資料最準） ※ 編輯: eszerfrm (49.218.22.249), 10/12/2017 13:52:51
推
10/12 13:15, 6年前 , 20F
所以這是要講股票標的嗎? 南亞科還有肉嗎?
10/12 13:15, 20F
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10/12 13:31, 6年前 , 21F
看誰處分誰就有肉吧..
10/12 13:31, 21F
※ 編輯: eszerfrm (49.218.22.249), 10/12/2017 14:06:37
推
10/12 14:07, 6年前 , 22F
電蝦的各位大家一起來烤肉拔
10/12 14:07, 22F
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10/12 14:07, 6年前 , 23F
10/12 14:07, 23F
噓
10/12 14:11, 6年前 , 24F
尤其是智慧型手機領域，需求並沒有特別強勁
10/12 14:11, 24F
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10/12 14:11, 6年前 , 25F
我看到這邊就End惹
10/12 14:11, 25F
槓，6/26的這篇新聞是筆誤吧？還是她是指2017年智慧型手機成長較低？也不對呀.... 同一個分析師在9/19的新聞說2018年需求強勁耶 https://goo.gl/iHcjgt ※ 編輯: eszerfrm (49.218.22.249), 10/12/2017 14:41:13
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10/12 14:36, 6年前 , 26F
你同級的定義是什麼? 我舉那個例子是指 PTT 看圖說
10/12 14:36, 26F
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10/12 14:36, 6年前 , 27F
故事一堆，就像你一樣
10/12 14:36, 27F
你可以說我看圖說故事沒關係，我至少有圖有資料，但是您連圖都沒有那要算什麼？不要 這樣子爭論，不好看。 我同級的意思至少不是dram大學生能生產這種等級的論點。 而且同級產品是針對三星、海力士這類廠商來說的。 dram、nand flash的確有技術門檻，性質也是有異，但不是差異大到不會互斥的產品。 （當然大學生是能進無塵室作業啦，但是開發dram量產是另一回事情，還是您根本就把人 家話語的意思誤會了？無塵室作業本來是大學生就能勝任的） ※ 編輯: eszerfrm (49.218.22.249), 10/12/2017 14:52:03
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10/12 14:51, 6年前 , 28F
NAND 和 DRAM 用的 Device 就差多了
10/12 14:51, 28F
那是封裝廠、device生產廠商的產品不同， 本質不同device當然就不同。 上游、下游廠定位跟產品要搞清楚。 我不想細談顆粒廠、封裝廠的差異在哪。 ※ 編輯: eszerfrm (49.218.22.249), 10/12/2017 14:54:38
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10/12 14:52, 6年前 , 29F
所有工廠的東西都不是學生能做出來的
10/12 14:52, 29F
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10/12 14:53, 6年前 , 30F
無塵室學生做的亂七八糟
10/12 14:53, 30F
這個就是別的問題了，我不想多去敘述『大學生就能做的東西』定義跟『大學生生產的東 西』概念差在哪...... ※ 編輯: eszerfrm (49.218.22.249), 10/12/2017 14:58:54
還有 41 則推文
還有 14 段內文
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10/12 19:23, 6年前 , 72F
基本法律常識了 麻煩補充一下
10/12 19:23, 72F
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10/12 19:23, 6年前 , 73F
3D會不會跟DRAM互斥 麻煩去看你轉貼的林先生
10/12 19:23, 73F
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10/12 19:24, 6年前 , 74F
對 沒錯 就是那位打你4次臉的林先生
10/12 19:24, 74F
誰跟你說3d nand 我一開始就說是3d nand拉稀影響dram產能，你圖片也都在 拜託，我只問你現在flash會不會影響dram、會不會互斥。 ※ 編輯: eszerfrm (49.218.22.249), 10/12/2017 19:26:10
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10/12 19:25, 6年前 , 75F
如果自己理解能力不足夠 轉再多新聞都是枉然
10/12 19:25, 75F
同樣的話還給您 自己理解能力不足，看再多公司資料都枉然 你的3d nand再多也多不過50% 我就問您， 2d nand flash跟dram 有沒有關係會不會互斥 有就有沒有就沒有，3d nand你都可以說沒有了， 這不需要save harbor吧？ ※ 編輯: eszerfrm (49.218.22.249), 10/12/2017 19:30:28
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10/12 19:27, 6年前 , 76F
所以林先生說3D會不會和DRAM互斥？ 說呀
10/12 19:27, 76F
噓
10/12 19:29, 6年前 , 77F
10/12 19:29, 77F
https://i.imgur.com/rf588bW.jpg
你會貼我也會貼 ※ 編輯: eszerfrm (49.218.22.249), 10/12/2017 19:31:22
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10/12 19:31, 6年前 , 78F
我幾天前跟你講的原話 和林先生是否一致？
10/12 19:31, 78F
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10/12 19:31, 6年前 , 79F
10/12 19:31, 79F
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10/12 19:32, 6年前 , 80F
你一直都是在講3D喔 現在是白海豚轉彎？？
10/12 19:32, 80F
3d nand拉稀，沿用舊的產線產出？ 我只要您證明1x nm 、20nm class跟dram產線無關耶 錯就錯，你說有影響就有影響啊 都讓您最大，3d nand 跟dram無關了。 ※ 編輯: eszerfrm (49.218.22.249), 10/12/2017 19:34:41
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10/12 19:37, 6年前 , 81F
又想扯歪 真的很不好看
10/12 19:37, 81F
這叫扯歪？ 就是因為有人覺得3d nand跟dram無關所以我才不想說的耶 扯這麼多沒意義吧。 好啦，這麼會畫重點我也來畫一下 https://i.imgur.com/rbL7Ite.jpg
https://i.imgur.com/IH845zH.jpg
※ 編輯: eszerfrm (49.218.22.249), 10/12/2017 19:51:45
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10/12 19:59, 6年前 , 82F
其實我不太懂為什麼你要一直引用新聞資料
10/12 19:59, 82F
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10/12 20:00, 6年前 , 83F
不在產業的人當然覺得 1T+1C 和 1T 差不多
10/12 20:00, 83F
因為有人連新聞都沒有。 另外，我不是只有貼新聞資料。 還有，我沒說差不多...我說的是有差但是這兩個是同級產品.... 就那張圖就差這麼多了，更何況是更精密的1x nm 製程 ※ 編輯: eszerfrm (49.218.22.249), 10/12/2017 20:03:19
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10/12 20:02, 6年前 , 84F
甚至覺得各家 FinFET 都是一樣的東西
10/12 20:02, 84F
這論點才是我要提的 各家不一樣內容，不可以拿自己家產線規劃說別家的跟自己一樣不互斥。 既然有爭議就不要繼續爭論，我並不打算爭贏什麼。 ※ 編輯: eszerfrm (49.218.22.249), 10/12/2017 20:06:19
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10/12 20:04, 6年前 , 85F
元件操作特性都差那麼多的東西 你的同級到底是指什
10/12 20:04, 85F
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10/12 20:05, 6年前 , 86F
麼？
10/12 20:05, 86F
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10/12 20:06, 6年前 , 87F
那你是 S 家的工程師嗎？
10/12 20:06, 87F
我知道你不是。 ※ 編輯: eszerfrm (49.218.22.249), 10/12/2017 20:09:43
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10/12 20:17, 6年前 , 88F
所以也就是看圖說故事
10/12 20:17, 88F
你連圖都沒有.... 好吧說點實際的 台灣的dram廠之前即便有製程互通的技術在，『那時代』也大多只生產dram 大多數的公司都是如此（即便在那年代也是）， 能轉的大廠其實也就只有三星跟海力士... 現在的確3d nand製程根本不能轉換dram 不過我提點乾貨好了，不想再說什麼互斥不互斥了 https://goo.gl/muZyHY nand走3d之後 dram其實也是有3d製程技術的 未來就算不是這種的，也極大可能會玩3d dram ※ 編輯: eszerfrm (49.218.22.249), 10/12/2017 20:33:46
推
10/12 20:36, 6年前 , 89F
是因為20nm 左右對大部分FET 家族都是個坎
10/12 20:36, 89F
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10/12 20:37, 6年前 , 90F
所以要嘛就是提出新結構來解決不然就是堆疊
10/12 20:37, 90F
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10/12 20:38, 6年前 , 91F
20nm 以上的 NAND 或是 3D NAND 也都會是挑戰
10/12 20:38, 91F
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10/12 20:39, 6年前 , 92F
這邊不是有投入資本就一定會解決問題的
10/12 20:39, 92F
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10/12 20:39, 6年前 , 93F
更正 20 nm 以下的 NAND
10/12 20:39, 93F
ok的，意義上是以上也對 其實我前面一直咬20nm的原因是, 我知道1x nm的製程不一樣了 若要換dram產線比以前困難很多，應該說不太可能了.... 我先投降.... ※ 編輯: eszerfrm (49.218.22.249), 10/12/2017 20:45:12
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10/12 20:46, 6年前 , 94F
電荷存的地方不同，特定部位結構或材料需求都不一樣
10/12 20:46, 94F
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10/12 20:48, 6年前 , 95F
基本上不要說20nm NAND 4X nm 3X nm 都讓領先的廠商
10/12 20:48, 95F
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10/12 20:50, 6年前 , 96F
顯得鶴立雞群。然後即使是製程落後的公司都是分工很
10/12 20:50, 96F
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10/12 20:51, 6年前 , 97F
細。要像電晶體剛發明的時代，同群人可以這也做那也
10/12 20:51, 97F
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10/12 20:52, 6年前 , 98F
做是不可能。管理群基本上都會先喊不同製程可以無痛
10/12 20:52, 98F
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10/12 20:54, 6年前 , 99F
接軌，但就是賭工程師能不能拼到，也是有轉得不順到
10/12 20:54, 99F
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10/12 20:54, 6年前 , 100F
原有研發團隊都打掉重練的
10/12 20:54, 100F
這也是， 若是要轉換產線，一是代表當初生產政策有問題（而且問題不小），二是轉換產線本身除 了成本，還有技術跟良率要挑戰，不能無痛轉換.... ※ 編輯: eszerfrm (49.218.22.249), 10/12/2017 21:02:34
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