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作者 Mauder 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共346則
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1F→:他是米勒補償的變形 目的是消除使用補償電容所產生的右半01/11 11:56
2F→:平面zero同時將第二個pole推遠 因此頻寬上升01/11 11:56
3F→:這架構不錯 PSRR也會變好 缺點是power上升01/11 12:01
8F→:size可以多取幾個 有可能是size過大造成雜散電容太大 速度12/26 00:30
9F→:上不去12/26 00:30
10F→:也可能是因為你的cdac太大12/26 00:40
6F→:1. post-sim抽出來的netlist會把mos一顆一顆拆開 沒有multi05/27 01:09
7F→:finger了 但是layout實際上如果你有畫共用 實際上晶片就跟05/27 01:10
8F→:post-sim也不同 所以我覺得pre-sim的mos+post-sim的RC才比05/27 01:11
9F→:較準 個人意見僅供參考05/27 01:11
15F→:這跟你spice的設定有關係 查查gmin05/23 12:22
3F→:抽RC時選擇以layout的pin來抽試看看 你應該是用schematic04/29 19:12
7F→:對 到output裡的netlist 有個Use Names From 選layout04/30 18:20
1F推:推~04/18 02:37
21F→:保險上 op設計到用10倍sampling rate的unit-gain bandwidth04/02 10:45
1F→:你的M1 gate跟M4的drain電壓本來就設計的不一樣 這時候你用02/08 20:34
2F→:電阻去接起來 偏壓自然會跑掉02/08 20:35
3F→:另外 你接的迴授是正迴授 是不穩定的 你應該要把電阻一端02/08 20:38
4F→:接到M7的drain端才正確02/08 20:39
5F→:但因此你可能會需要補償電容以及消除右半平面零點的技巧02/08 20:41
12F→:你的電阻並不會流static current,因此你必須設計Mc的gate電02/09 05:34
13F→:壓使得vgs=vt才有機會讓bias如你所預期 但因為你接成正迴授02/09 05:36
14F→:輕輕一飄 bias就跑掉了02/09 05:36
15F推:至於你的第三個問題 目前你所選定的架構output bias會飄是02/09 05:48
16F→:可預期的 但如果你可以保證訊號夠小所以放大後的訊號不會02/09 05:51
17F→:失真或者是你只想要把第二級當作比較器來用 其實就沒甚麼關02/09 05:54
18F→:係了 但你需考慮後級處理的問題 否則就要考慮使用op02/09 06:00
19F→:feedback的方式 利用virtual ground來鎖住output bias02/09 06:00
1F→:看你的頻寬了 頻寬不夠會很慢02/01 04:27
1F→:可以單測 主要的spec是速度以及offset, kickback noise和01/27 21:41
2F→:metastablility, 速度就是你的clock rate, offset給ramp或01/27 21:42
3F→:階梯波, metastability就是給接近的訊號01/27 21:43