Re: [轉錄] 清大教授彭明輝：台積電是二流企業

看板Tech_Job作者 (平凡是幸福)時間10年前 (2015/06/21 23:58), 10年前編輯推噓22(22推 0噓 19→)
留言41則, 25人參與, 最新討論串12/12 (看更多)
三星電子創造了許多世界第一：世界最早的 64M DRAM（1992）、第一顆256M動態存儲器 （1994）、第一個22英寸TET-LCD（1995）、....、第一顆2 GB快閃記憶體晶片（2005） 、第一個16GB記憶體（2005）等。台積電創造了什麼？是台灣人遠比韓國人笨？還是台灣 的企業家遠比韓國沒氣魄？ 彭教授提到這些三星的第一 技術上是三星原創的??? 還是三星在這些所謂第一上面 製程上有何獨特的改良突破??? 我不認為彭教授舉出三星的這些第一 會比台積電林本堅博士當初提出"潤浸式曝光"的突破與創意更大... 當然如果彭教授是舉外星科技的i社的一些製程創意 例如:現在3D的FinFET結構 或是當初45nm 利用SiGe填入PFET S/D 給予壓應力的應用 還是65nm 利用SiN CESL film去給予Si channel strain改變電子傳輸率 這些才是真正在製程上有特殊創意的地方 基礎科學也要夠強... (我猜彭教授應該也不懂這些...) ※ 引述《esp0213 (得了一種不科科會死的病꼩》之銘言： : 這邊有比較詳盡的敘述 : http://mhperng.blogspot.tw/2015/06/ceo.html : http://opinion.cw.com.tw/blog/profile/30/article/2964 : fyr -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 182.234.129.24 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1434902291.A.373.html
推
06/22 00:04, , 1F
你說這個太專業了大概會被無視
06/22 00:04, 1F
推
06/22 00:12, , 2F
INTEL真的很猛...
06/22 00:12, 2F
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06/22 00:13, , 3F
不過FinFET不是INTEL提出的就是了
06/22 00:13, 3F
哈 樓上內行 我也忘了FinFET是誰提了 FinFET是兩邊當通道 不過intel是最早用在商品製造 做成3邊都能當通道 所以他們是叫3D電晶體...XD 其實像HKMG提了很久 也是intel最早45nm就導入商品... 台積還一直到28nm才搞出HKMG來
推
06/22 00:16, , 4F
06/22 00:16, 4F
※ 編輯: ljsnonocat2 (182.234.129.24), 06/22/2015 00:22:23
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06/22 00:24, , 5F
原文講的都是產品而非技術，我覺得可以講浸潤式技術最先
06/22 00:24, 5F
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06/22 00:24, , 6F
應用的產品會比較好對照
06/22 00:24, 6F
如果是講產品 台積也可以宣稱 他們合作製造世界最早的28nm, 45nm, 65nm, ......的GPU或是FPGA或是手機處理器 反正nvida或是Q社...等等 這些世界級的Fabless公司推出世界第一的產品 幾乎都是先在台積生產的....XDDD ※ 編輯: ljsnonocat2 (182.234.129.24), 06/22/2015 00:32:45
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06/22 00:32, , 7F
所以台積可以這樣宣稱呀，不說出來實在太低調了，結果這
06/22 00:32, 7F
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06/22 00:32, , 8F
樣列出來的第一都是三星的，抹滅了台積的原創性
06/22 00:32, 8F
我只覺得彭教授不完全懂產業 就不要一直發文想硬凹 還舉了很爛的例子 只會讓人覺得很無言 我隨便一個菜逼八都能輕鬆打臉了.. 可惜他的部落格不能回文 不然一定被很多高手電到飛起來... ※ 編輯: ljsnonocat2 (182.234.129.24), 06/22/2015 01:07:23
推
06/22 01:09, , 9F
所以他部落格不開放回文阿
06/22 01:09, 9F
推
06/22 01:23, , 10F
學界跟業界本來就有個很大的gap在 看完笑笑就好
06/22 01:23, 10F
推
06/22 01:47, , 11F
FinFET的專家以前在gg當技術長 現在在Berkeely EE
06/22 01:47, 11F
原來是大師 胡正明…太久沒唸書了
推
06/22 02:07, , 12F
彭教授之前有出一本書，不知道你有沒有看過，通篇廢文
06/22 02:07, 12F
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06/22 02:08, , 13F
妳可以找來拜讀看看XD
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推
06/22 02:38, , 14F
CM Hu
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感謝補充
推
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台積還不都切i社的wafer來抄 ㄎㄎ
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就像運動比賽 你做你的 我學你的 還不都一樣?
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XD ※ 編輯: ljsnonocat2 (223.143.128.239), 06/22/2015 07:30:17
推
06/22 07:33, , 17F
看看他知前面對核能問題都被黃士修打到逃走了
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你就知道這個人專業領域上如何了...
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06/22 08:36, , 19F
一個機械系教授討論電子業，不用跟他認真
06/22 08:36, 19F
推
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他不懂 這都偏製程改善
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06/22 08:43, , 21F
台灣很多認為製程改善只是代工而已
06/22 08:43, 21F
像我舉i社那些例子 背後要有多深厚的科學基礎研究才能突破 當初看到paper發表Strain-Si這些技術 我還真的認為 intel應該有外星人在幫忙...XD ※ 編輯: ljsnonocat2 (182.234.129.24), 06/22/2015 08:50:49
推
06/22 09:47, , 22F
某些東西做出來不困難 困難是如何量產加上維持良率~
06/22 09:47, 22F
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06/22 09:47, , 23F
學者當然是打打嘴砲可以 但是真的把東西量產難道沒功勞嗎
06/22 09:47, 23F
推
06/22 12:12, , 24F
都有功勞……但是因此自滿則不予置評
06/22 12:12, 24F
推
06/22 12:33, , 25F
感謝分享
06/22 12:33, 25F
推
06/22 14:12, , 26F
他戰點太門外漢了 如果用輪班星人切入就正解啦
06/22 14:12, 26F
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06/22 14:14, , 27F
在一個獅子都吃香蕉的島上出了香蕉的公司~~
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推
06/22 15:14, , 28F
Cheming Hu 在1992年左右提出FinFET的概念，後來三維
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06/22 15:14, , 29F
結構的電晶體開始慢慢被研究，I公司 後來自己所做的
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06/22 15:14, , 30F
三維電晶體是稱Tri-Gate transistor，不過基礎的元件
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06/22 15:14, , 31F
作動原理是類似的
06/22 15:14, 31F
推
06/22 20:52, , 32F
N40G才有SiGe吧!!!
06/22 20:52, 32F
推
06/22 22:03, , 33F
已經很腫了 不要再打了
06/22 22:03, 33F
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06/22 22:08, , 34F
你講的那些都不是i社原創，其實連HKMG也都不是原創
06/22 22:08, 34F
推
06/22 22:13, , 35F
i社真正強的地方是看出技術真正的趨勢，並引入可行的
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06/22 22:13, , 36F
技術成功量產
06/22 22:13, 36F
推
06/22 23:16, , 37F
覺得不用理他,這討論串也太久,不懂的人在批評,要原諒他的不懂
06/22 23:16, 37F
推
06/23 04:34, , 38F
FinFET是胡振明院士發明的
06/23 04:34, 38F
推
06/23 11:00, , 39F
學術界就學歷很高的八掛版阿
06/23 11:00, 39F
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06/23 14:47, , 40F
彭明輝？單位都搞錯了1000倍，還敢宣稱自己的結論沒
06/23 14:47, 40F
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06/23 14:48, , 41F
錯，死不承認錯誤，枉為機械系的教授
06/23 14:48, 41F
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