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作者 powerdown 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共30則
限定看板:Electronics
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5F推:借問一下~那Weste&Harris,Integrated Circuit Design4TH11/30 17:05
6F→:又有何差別呢?11/30 17:06
1F推:電阻當負載通常為示意,通常是用於分立式電路。NMOS Dio11/16 18:28
2F→:de當負載有基板效應且阻抗不匹配。PMOS Diode則無基板11/16 18:29
3F→:效應。你說的差動放大器例子大都是基於基板效應及電流11/16 18:30
4F→:源電路得關係。類比CMOS有省電、無基板效應、阻抗匹配11/16 18:30
5F→:易調整...........等等。11/16 18:31
11F推:1.先感謝jerry大的回覆,CMOS有省電的優點是'數位'CMOS11/16 22:46
12F推:因為靜態功率散逸趨於零。謝謝指正!!11/16 22:48
13F→:2.以負載為NMOS為例。放大率是GmRo,其中Ro是(ro並1/gm)11/16 22:48
14F→:ro>1/gm導致Ro下降,則稱阻抗不匹配。11/16 22:49
5F推:若整個系統等效看進去的電容是負的,在操作於特定頻率時11/05 18:10
6F→:可能會產生諧振,會有filter的效果~我想是這樣11/05 18:12
1F推:理論上是要考慮ro,但直流偏壓分析時,因為ro大,10/04 12:03
2F→:故電流很小,可不考慮。題目有給通常表示小信號分析時10/04 12:04
3F→:一定要考慮ro,尤其是積体氏類比電路10/04 12:05
4F推:大推昀哥哥!08/06 18:59
20F推:還記的BJT的依賴電流源模型表示嗎?可以表示成Beta Ib或04/23 22:55
21F→:是gm Vbe可以用電壓觀點或是電流觀點皆可兩者是一體兩面04/23 22:57
22F→:至於MOS即為電壓控制電流,因為Gate視為無電流且依賴電04/23 22:59
23F→:流源是gm Vgs故為電壓控制電流。還請各位指教有錯的地方04/23 23:00
1F推:Gain=gmro=2VA'(KnI)^1/2/I=2VA'(uCWL/2I)^1/2 當WL給定03/25 02:09
2F→:偏壓電流I愈弱,則Gain愈大且最大值發生在次臨界導通時03/25 02:13
3F→:這樣說明應該沒錯,實際用HSPICE模擬也是如此03/25 02:15
4F→:至於power是否與穩定度有關我不清楚,VDD會影響電路的03/25 02:17
5F→:Swing而間接影響SNR,Noise Vlotage正比於(gm)^1/203/25 02:19
6F→:不確定是否有回答道你的問題??請多指教!!03/25 02:20
5F推:確定可以+1 win7 32bit很順喔(跟VISTA比)!!03/24 18:53
8F推:加cs應該是cs的輸出阻抗較小 可讓gain下降12/08 17:16
7F推:中肯淚推!12/08 17:20
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