[問題] OP中的每顆MOS都要在saturation嗎?

看板Electronics作者 (123)時間14年前 (2009/12/07 15:30), 編輯推噓5(503)
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小弟最近設計一個sensor readout 電路 其中需要用到OP,所以設計了fully differential folded cascode amp 電路圖如下 http://msic.ee.ncku.edu.tw/course/analog_05242007/answer2.files/image009.gif
另外有加上CMFB 一開始以為會需要很大的gain,所以dc gain設計在70dB左右 但後來才發現大概只要40~50dB就足夠了,否則輸出會飽和掉 於是又開始調整size 也許是小弟功力不足,把gain壓到40~50dB時 沒辦法讓所有MOS在五個corner都操作在saturation區 目前是圖中的Q5和Q6沒辦法saturation,其它都可以 這樣我又想到是否可以就乾脆不管它了? 要求每顆MOS都操作在saturation區有什麼特別的意義嗎? 感謝~ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.113.56.28

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電流鏡要在SAT的區域才能定電流 放大器要在SAT才能線性
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12/07 15:55, , 2F
放大
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12/07 15:57, , 3F
主動負載要在SAT區才有大電阻效果
12/07 15:57, 3F

12/07 16:30, , 4F
不需要太大gain就改用diff. input + common source output吧
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12/07 16:30, , 5F
不然L用小一點, 但matching會較差就是了
12/07 16:30, 5F

12/08 07:56, , 6F
主動負載在weak inversion也很大..所以不一定.....
12/08 07:56, 6F

12/08 17:02, , 7F
cpt大 加CS的功用在這邊是為何? 加gain嗎
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12/08 17:16, , 8F
加cs應該是cs的輸出阻抗較小 可讓gain下降
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