Re: [討論] 救命!PVT模擬到快瘋了
※ 引述《satokuzao (no元)》之銘言:
: *************前言(可略過)****************
: 畢業專題是一個capacitor-less LDO regulator,一個簡單的類比電路.
: 但是從8/21開始至今12/17日還在Pre-SIM,主要是因為PVT cornor的問題
: 犧牲了一切娛樂,而且也退掉補習,也沒準備考試,就只是卡在這PVT角落上,快瘋掉了!
: 我只是想把東西做好,犧牲研究所考試沒關係,但要知道原因
: *****************************************
: 類比IC裡面一位有名的研究學者,R. JACOB BAKER在他的網站上說了一些PVT的迷思
: 他舉了一個例子,
: __________ _________
: | VDD |
: ___|___ |
: | | | |<-----
: | | | 11uA ||
: | V | Vbiasp o||
: ------- 電路觀點 電晶體 ||
: |------
: |________Vx =======> |______Vx
: ___|___ |
: | | | |------
: | | | 10uA ||
: | V | Vbiasn -||
: ------- ||
: _|_ |-------
: Don’t let SPICE trick you into thinking that by tweaking the length and the
: 不要讓spice騙了你,讓你試著由調整電晶體的長度和
: width of the devices you can make the currents equal (yikes! ;-) and keep both
: 寬度,所以你可以使這兩個電流相等,且保持讓兩者
: devices in saturation (always)
: 都在飽和區,因為這個和PVT有關
沒錯,你不能預期上下的電流一樣,使Vx永遠在飽和區
這件事情也就是全差動電路需要做CMFB的理由
只要ro越大,一點點上下電流的mismatch就會讓你電壓掛掉
: ===================問題==================================
: 專題裡面的電路都是要偏壓在飽和區,學長要求全部PVT(五個製程快慢,+-10%VDD,-40
: ~120度)都要飽和(這實在是太瘋狂了)光調長度和寬度就調了三個月
這是完全錯誤的電路設計觀念
如果你的電路對你手動的size那麼敏感
那麼一點點製程漂移,就會把你調好的size打趴
不會有人設計 44.21u/0.46u 這種奇怪的東西的
: 好不容易在模擬上""""看起來"""全角落都飽和。
: 但LDO規格中有一個LOAD Regulation要求要<50ppm/mA
: 我的規格在TT 25 VDD可達到20ppm/mA但在某些角落下高達1000ppm/mA
: 因為規格表上要附上的是最差數據當作保守資料,但明顯的1000ppm/mA這個模擬PVT的結
: 果會讓我這一輩子畢不了業
這個規格的達不到,是不是跟沒有saturation有關?
如果你的電路是操作在saturation (op有照你想要的function)
那你應該檢查你的behavior是否能讓這個規格通過
你搞不好是設計頻寬不夠,電流不夠
你要去track那些表現不好的corner裡面,你的電路參數變成了什麼
: 網路上也有人問過為什麼LDO的PAPER只有打上一般狀態的資料而不是最差數據(答案有兩
: 種:一個是過不了,另外一個是不同設計考慮有不同PVT,這我可以理解)請問
: 1.但我到底該怎麼辦?是要附上20ppm/mA的數據呢?還是真的要打上最差保守資料
: (1000ppm/mA)(其實TT 25, FF -40, SS 120這三個角落都可以過,但不是最差的情況)
: 2.又要用什麼樣的態度去看待PVT的模擬呢?為什麼幾乎全部的LDO的paper都只有附上一般
: 狀態下的規格?
: 仔細檢查過後知道是因為Voff_set造成的。但會造成Voff_set就是因為PVT的不理想,(
: 讓電晶體看起來"飽和"可以經由調整,但Voff_set在模擬中是無法控制的。)
Voff_set是什麼造成的?
是你模擬跑出來的,還是因為amplifier的gain不夠大,而造成的穩態誤差?
offset可以從蒙地卡羅裡跑出一個範圍
接著掛理想電壓源去model他
: ※ 編輯: satokuzao 來自: 140.117.178.180 (12/17 21:42)
: ※ 編輯: satokuzao 來自: 140.117.178.180 (12/17 21:44)
: ※ 編輯: satokuzao 來自: 140.117.178.180 (12/17 21:44)
: 推 hyffdmy:也許還可以做一些PVT補償電路 但那又更難了... 12/17 23:08
: → satokuzao:應該是可以,但看過的PAPER全部沒有採用這樣的。也沒有 12/17 23:51
: → satokuzao:看到他們PO不同cornor的結果。目前是TT25 SS120 FF-40都 12/17 23:52
: → satokuzao:可以過(最差在SS 120 )但是其實還有些corner更差的 12/17 23:53
: 推 mmonkeyboyy:看得出來你快瘋了 加油 12/18 00:01
: → mmonkeyboyy:話說LDO 你這些數據全部都可以達到的話....就直接去工 12/18 00:03
: → mmonkeyboyy:作了 or 去國外念 這對大學生來說很不錯了 12/18 00:03
: 推 mmonkeyboyy:PS....我覺得你學長開的條件....嗯.... 12/18 00:05
: → jsp0520:offset的話把尺寸調大一點看看 12/18 00:47
: → jsp0520:不過有時候corner沒過也是量的到10bit (菸~~) 12/18 00:49
: 推 mmonkeyboyy:樓上也太帥了 12/18 01:28
: ※ 編輯: satokuzao 來自: 140.117.178.180 (12/18 01:40)
: → satokuzao:10 bits ~ADC就超級帥~ DAC就....給個好帥 12/18 01:41
1. 你要了解你放大器裡面哪些output點的電壓是定義不好的
試圖去理解為什麼定義不好,有多不好,為什麼別人這樣做就可以了
2. 在spec沒過的地方,去檢查amplifier的behavior
了解什麼原因造成spec沒過
3. 不要浪費時間去tune size,好好想想behavior
這種被證明很robust的電路是不需要這樣玩的
你又不是電波組做60GHz model不準
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 118.168.3.29
推
12/18 02:15, , 1F
12/18 02:15, 1F
→
12/18 02:17, , 2F
12/18 02:17, 2F
→
12/18 02:19, , 3F
12/18 02:19, 3F
推
12/18 02:21, , 4F
12/18 02:21, 4F
→
12/18 02:23, , 5F
12/18 02:23, 5F
→
12/18 02:26, , 6F
12/18 02:26, 6F
→
12/18 02:29, , 7F
12/18 02:29, 7F
→
12/18 02:29, , 8F
12/18 02:29, 8F
→
12/18 02:29, , 9F
12/18 02:29, 9F
推
12/18 10:37, , 10F
12/18 10:37, 10F
推
12/18 11:35, , 11F
12/18 11:35, 11F
→
12/20 02:29, , 12F
12/20 02:29, 12F
→
12/20 02:30, , 13F
12/20 02:30, 13F
→
12/20 02:31, , 14F
12/20 02:31, 14F
→
08/13 19:20, , 15F
08/13 19:20, 15F
→
09/17 23:14, , 16F
09/17 23:14, 16F
討論串 (同標題文章)