作者查詢 / Colula
作者 Colula 在 PTT [ NEMS ] 看板的留言(推文), 共25則
限定看板:NEMS
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5F推: 如sky所說的,應是光酸反映太多造成氮溢出,加高烤溫與時05/25 01:23
7F→: 間應可改善05/25 01:24
10F推:建議作黃光實驗者都應該看一下這篇Troubleshooting06/29 07:32
11F→:microchemical裡面都有解答: http://ppt.cc/OuEJ06/29 07:33
12F推:你黃光微影的條件對於厚光阻並不太合適,照裡面的說法,06/29 07:43
13F→:10um厚光阻烤不夠乾,加上過強曝光,將使得氮鍵斷裂而氮氣06/29 07:45
14F→:氣溢出而形成氣泡狀,這點在曝光完後就應該可以看出來06/29 07:46
15F→:中間有contact gap的話不會有這樣大的落差06/29 07:48
4F推:1.減少RF功率,減緩RIE中離子團氣體垂直撞擊程度05/23 00:22
5F→:2.如Nico大所說的降低O2流量,或提升SF6流量讓化學蝕刻性05/23 00:26
6F→:提升,側壁蝕刻速度會加快,但有可能造成側壁凹凹凸凸的05/23 00:27
7F→:He應該是冷卻電極用的,不要調整或是過大,有些RIE開太強05/23 00:29
8F→:的He會造成wafer的震動,影響surface condition05/23 00:30
6F→:想請問一下s大,我們是作光電雷射半導體的,若將4620用水05/02 12:51
7F→:用水稀釋後,有可能的影響為何?尤其是作Grating光柵結構,Thx05/02 12:53
14F→:非常感謝S大的回覆,讓我學到很多,我之前還以為MP351與MF31905/02 20:42
15F→:同系,只是濃度不同,忽略了鉀離子及NaOH base, Thanks05/02 20:44
3F推:週期很寬,鍍金很薄,AZ4620就可01/12 11:18
3F→:五萬= =,5um線寬找中央作便宜多了11/15 01:35
22F推:AZ 5214也可以用TMAH系列的如MF-351 or 31911/15 01:33
3F推:金屬遮罩不要進RIE,尤其是ICP,不然RFpower很容易mismatch07/28 01:57
4F→:很傷chamber..又有汙染的問題,調得不好甚至在裡面打雷閃電07/28 01:58
3F推:AZ 4620轉到剩下3.5 um, 烤90C 5min 超好lift off...07/28 01:47
9F推:加熱丙酮煮沸5min +UV Ozone 120C 20min, 一定乾淨03/22 00:25