[問題] Oxide dry etching profile

看板NEMS作者 (JIMMY)時間11年前 (2013/05/15 01:11), 編輯推噓3(3推 0噓 8→)
留言11則, 4人參與, 最新討論串1/1
大家好 目前有一項實驗在調整氧化層的側壁形狀 目前做出來接近垂直 為了後續鍍鋁避免覆蓋不良希望做出梯形的profile 目前使用的氣體種類有CHF3 SF6 O2 HE 請問要如何調整比較有機會達成目的呢??? 第一次提問 先感謝大家的指教 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 220.133.3.38
推
05/15 02:32, , 1F
可以試著增加氣壓看看(維持固定氣體比例及功率)
05/15 02:32, 1F
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05/21 10:38, , 2F
加氣壓會讓profile形成ball狀，降低O2或CHF3等保護氣
05/21 10:38, 2F
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05/21 10:39, , 3F
側壁氣體，比較有機會形成梯形
05/21 10:39, 3F
推
05/23 00:22, , 4F
1.減少RF功率，減緩RIE中離子團氣體垂直撞擊程度
05/23 00:22, 4F
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05/23 00:26, , 5F
2.如Nico大所說的降低O2流量，或提升SF6流量讓化學蝕刻性
05/23 00:26, 5F
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05/23 00:27, , 6F
提升，側壁蝕刻速度會加快，但有可能造成側壁凹凹凸凸的
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05/23 00:29, , 7F
He應該是冷卻電極用的，不要調整或是過大，有些RIE開太強
05/23 00:29, 7F
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05/23 00:30, , 8F
的He會造成wafer的震動，影響surface condition
05/23 00:30, 8F
推
05/23 04:22, , 9F
借標題問一下。想請教為什麼蝕刻oxide需要用到O2?
05/23 04:22, 9F
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05/29 00:00, , 10F
在PR可保護的前提下，加入O2可增加蝕刻速率
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05/29 00:03, , 11F
本人是這樣操作，不確定是否有其他影響
05/29 00:03, 11F
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