[問題] 厚光阻曝光問題

看板NEMS作者 (cc)時間11年前 (2013/06/23 23:36), 編輯推噓8(8推 0噓 10→)
留言18則, 7人參與, 最新討論串1/1
請問一下 我在使用az4620 目標厚度10um作曝光時 dark區也照樣被顯掉,而且是相當大範圍(600-800um以上)不規則的形狀 我的線寬是60-100um 去請教有黃光經驗的工程師,他們一致認為是那些區域是被"顯掉" 而且是顯得很乾淨,代表不該曝光的地方被曝到了 我有檢查我的光罩鉻膜正常,用薄光阻也曝出正常圖形 所以 我猜想,是不是有可能我的4620厚度相當不平均 我曝光機用hard contact時,光罩一接觸光阻就停止下壓 導致光罩其實是和wafer邊緣接觸(邊緣光阻較厚) wafer中間和光罩仍有很大的gap 所以曝光時 光有可能打進我的線寬後反射之類的 剛好我的線寬又大(100um) 會有一些不垂直的光射進去 於是就發生 dark處被曝到 我想請問 這種可能性有嗎? 我的4620參數是 500rpm 10s 2000rpm 20s 曝光機 1000W 軟烤 90C 5min -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.113.46.137
推
06/24 00:05, , 1F
曝光秒數是多少，而且你用的曝光機工率也高得太誇張了吧
06/24 00:05, 1F
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06/24 00:07, , 2F
一般常用的曝光機功率大概都在10~20mW，10um的AZ4620光阻
06/24 00:07, 2F
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06/24 00:07, , 3F
頂多曝個20~30秒吧
06/24 00:07, 3F
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06/24 00:09, , 4F
可以去找一下AZ4620的datasheet應該很好找才對
06/24 00:09, 4F
推
06/24 00:47, , 5F
應該是 over exposure....
06/24 00:47, 5F
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06/24 01:22, , 6F
1000W........太誇張了吧
06/24 01:22, 6F
推
06/24 03:06, , 7F
燈管有可能是這個瓦數 但是曝出來的波段劑量才是重點吧
06/24 03:06, 7F
推
06/24 03:10, , 8F
如果懷疑你的假設可以洗邊或是壓到中間出現紋路再曝光
06/24 03:10, 8F
推
06/24 08:11, , 9F
再確認你的曝光參數，另外是玻璃wafer?
06/24 08:11, 9F
是一般的silicon wafer, 另外應該確定是這種原因 因為使用另一台曝光機 手動調整mask Z軸 把mask 和wafer緊黏在一起曝光 (wafer完全黏在mask上) 曝光圖形頂多差個幾um,就正常很多 不像之前 dark處也大面積被顯掉 只是沒想到mask和wafer之間有gap 就會曝的很糟糕 ※ 編輯: zxcvoice 來自: 140.113.217.74 (06/24 20:48)
推
06/29 07:32, , 10F
建議作黃光實驗者都應該看一下這篇Troubleshooting
06/29 07:32, 10F
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06/29 07:33, , 11F
microchemical裡面都有解答: http://ppt.cc/OuEJ
06/29 07:33, 11F
推
06/29 07:43, , 12F
你黃光微影的條件對於厚光阻並不太合適，照裡面的說法，
06/29 07:43, 12F
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06/29 07:45, , 13F
10um厚光阻烤不夠乾，加上過強曝光，將使得氮鍵斷裂而氮氣
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06/29 07:46, , 14F
氣溢出而形成氣泡狀，這點在曝光完後就應該可以看出來
06/29 07:46, 14F
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06/29 07:48, , 15F
中間有contact gap的話不會有這樣大的落差
06/29 07:48, 15F
推
06/29 17:21, , 16F
樓上講的比較合理。這種case一搬要增加軟烤溫度才是
06/29 17:21, 16F
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06/29 17:23, , 17F
沒有貼緊最主要只會造成你的線寬明顯增加(或減少，看
06/29 17:23, 17F
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06/29 17:23, , 18F
你的光罩是dark 還是clear field
06/29 17:23, 18F
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