[問題] S1813 小線寬的lift off

看板NEMS作者時間13年前 (2012/02/27 10:02), 編輯推噓2(2推 0噓 7→)
留言9則, 4人參與, 最新討論串1/2 (看更多)
大家好 我目前的實驗是要用正光阻S1813曝光 用100度軟烤3m30s 在光阻層上面鋪上邊長是3um/1.5um/1um的孔洞 周期6um*6um 顯影一分鐘 最後在用熱蒸鍍機鍍上金 lift之後便成金屬island薄膜 可是我發現我lift之後即使使用超音波震盪機 在顯微鏡之下仍然可以看出有部分光阻殘留 因為我後續製成要送入PECVD長SiO2 所以不能有光阻殘留 所以請問各位先進是否有什麼方法可以建議讓我解決lift off不乾淨的問題 謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.112.218.154
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02/27 18:29, , 1F
烤太久乾掉? GOOGLE是115C 60S try 105C 120s for liftoff
02/27 18:29, 1F
推
02/27 20:39, , 2F
可放進硫酸加雙氧水中，短時間(數分鐘)內不會對你的金
02/27 20:39, 2F
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02/27 20:40, , 3F
有顯著影響。或是使用專門溶正光阻的熔劑比方EKC830
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02/27 20:41, , 4F
加熱使用效果極佳
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謝謝樓上二位 但是因為我的結構中有SiO2 不大適合放硫酸加
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02/27 22:31, , 6F
雙氧水 另外如果不烤這麼乾我好像曝光的時後 光罩一壓上去
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02/27 22:32, , 7F
繞射條紋就變很多 因位我還要第二道同樣圖形對準
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02/27 22:33, , 8F
我怕在Wafer下面墊上濾紙會使得對準不準
02/27 22:33, 8F
推
03/22 00:25, , 9F
加熱丙酮煮沸5min +UV Ozone 120C 20min, 一定乾淨
03/22 00:25, 9F
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