Re: [問題] 關於 Fermi level, GS, DFT 一些很基本 …

看板Physics作者 (如果狗狗飛上天)時間17年前 (2008/05/09 13:14), 編輯推噓1(105)
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提供一點想法.先回答第一個問題,關於"Fermi level"一辭,我覺得是有點 被誤用了,如果是講"Fermi level"一辭,我會認為你說的沒錯,他是在指某 一個"level".所以常見的放在frobidden region的圖像是不對的. 但其實正確的說法應該是"chemcial potential (CP)",不過在大多數的paper 中,這兩個辭彙已經沒有差別了. 那些在frobidden region的CP,其實也就是你FD分布中的mu,簡單的說,Fermi level完全無力描述T不等於0的電子填部機率,只有CP可以,因為Fermi level 完全不對應到你FD分布中的任何量. 那怎麼得出chemical potential呢? FD分布中,有兩個量是未知的,一個是T, 一個是CP,T沒什麼好講的,那是一個你自己給定的量,至於CP,則會因為你的 能帶不同而改變. 當我們把能帶計算出來之後,我們會得到能帶結構相應的DOS spectrum.想得 出CP,如果我們要求: DOS*FD的積分=N, N是系統的總電子數 那麼就等於給FD函數了一個約束.在數值上,就可以透過去掃能量,找出一個可 以滿足上面那個方程式的CP.大多數的時候,CP跟溫度的關係並不明顯,尤其在 能帶結構越具有particle-hole symmetry的情況下,這個值越是死死的貼在gap 的中間.有時在作一些粗糙的計算的時候,甚至看看DOS,大概抓一下CP應該是 gap的中間上面一點或是下面一點也就繼續算下去了. 不過我想原波之所以會confuse,還是因為大多數的科學文獻中,CP跟EF已經混 淆不清了. 不過還是要講一下,這種作法其實只能得出相對於band的CP在哪,至於這個CP 到真空能階的值是多少,那又是另一個故事了,在一些ab initio的軟體中,這 個量甚至是要另外去計算的而無法在求能帶的同時得出. 這點意見希望可以回答些什麼. -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 123.192.58.164 ※ 編輯: pipidog 來自: 123.192.58.164 (05/09 13:18)

05/09 14:10, , 1F
在T=0的時候是Fermi energy 在T大於0的時候是chemical P..
05/09 14:10, 1F

05/09 15:46, , 2F
@@ 原來如此...感謝pipidog大
05/09 15:46, 2F

05/09 16:25, , 3F
不過..滿足 int(DOS*FD;E) = N 的CP似乎不是唯一的??
05/09 16:25, 3F

05/09 19:30, , 4F
really? 其實我沒真的自己算過cp,真是這樣嗎?
05/09 19:30, 4F

05/09 21:57, , 5F
如果你給定了溫度,這個解應該是唯一的吧?
05/09 21:57, 5F

05/10 00:02, , 6F
嗯..對 應該是唯一的, 抱歉orz...
05/10 00:02, 6F
文章代碼(AID): #188zshcU (Physics)
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