Re: [新聞] 華為發表半導體「韜定律」 宣布2031年推出1.4奈米晶片

看板Gossiping作者 (麥靠貝)時間2月前 (2026/05/25 23:57), 2月前編輯推噓0(4413)
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http://i.imgur.com/nV8DTQ0.jpg
今年的麒麟9050(暫定名稱)密度是238 對比去年的9030 pro密度155,等於提升了53%左右的密度 已經相當於台積電的3奈米的晶體管密度 http://i.imgur.com/qMd2SQc.jpg
然後麒麟晶片的路線圖下方小字樣 代表2026及2027年的晶片已經設計完成進入流片 2028年的麒麟還在設計,2029年的麒麟還在仿真階段 http://i.imgur.com/hrzafSO.jpg
個人覺得今年的9050pro可以追到2024年的高通8至尊版表現就很厲害了 畢竟是用國產7奈米做出台積電3奈米的製程密度效能 這也是中國不在意美國搬走台積電的底氣 咱家的華為夠爭氣 補充一下大佬意見 如果台積電2031年還不跟上華為邏輯晶片堆疊技術,那它的晶體管密度大概率被海思反超 因為它預計2029年量產的A14工藝晶體管密度才291,今年下半年量產的N2工藝晶體管密度260,通樣2029年量產的英特爾14AE工藝晶體管密度也才230,今年麒麟晶片的密度已是238 注意台積電自14nm工藝往後全部採用3D晶體管,已經不再是2D平面,而是等效工藝制程。 今天華為發布的邏輯晶片堆疊技術也是一種實現提升晶體管密度的方法,也可算等效工藝制程。 等國產EUV量產上產線,下圖的密度、頻率和能效性能還可提升 PS:按照何廷波的論文,圖二中的工藝進步數據並不計算EUV替換DUV,而僅僅是邏輯堆疊技術進步的結果。 http://i.imgur.com/vWmSKc8.jpg
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05/25 23:57, 2月前 , 1F
已放空2330
05/25 23:57, 1F

05/25 23:58, 2月前 , 2F
改稱 支那為,才能提高知名度!
05/25 23:58, 2F

05/26 00:02, 2月前 , 3F
搖搖領先,且聽龍吟
05/26 00:02, 3F

05/26 00:07, 2月前 , 4F
邏輯摺疊 主要的難點是混和鍵結和發熱
05/26 00:07, 4F

05/26 00:07, 2月前 , 5F
不知華為是如何解決的
05/26 00:07, 5F
※ 編輯: s213092921 (36.238.241.230 臺灣), 05/26/2026 01:47:53

05/26 01:51, 2月前 , 6F
05/26 01:51, 6F

05/26 01:51, 2月前 , 7F
爆料華為邏輯堆疊的散熱風扇直接集成
05/26 01:51, 7F

05/26 01:51, 2月前 , 8F
在晶片裏
05/26 01:51, 8F

05/26 02:03, 2月前 , 9F
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05/26 02:03, 2月前 , 10F
年3月27日林本堅預言成功,中國搞出韜
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05/26 02:03, 2月前 , 11F
定律改寫半導體
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05/26 02:45, 2月前 , 12F
這顯示中國在技術上已經沒有新招了.
05/26 02:45, 12F

05/26 02:45, 2月前 , 13F
只能開始搞疊疊樂,這種大家都知道.
05/26 02:45, 13F

05/26 02:46, 2月前 , 14F
不但散熱有問題,良率變差,成本增高.
05/26 02:46, 14F

05/26 02:53, 2月前 , 15F
MEMS的風扇早有人做,不過應該晶片外.
05/26 02:53, 15F

05/26 02:53, 2月前 , 16F
不可能晶片內,灰塵吹進來就GG了.
05/26 02:53, 16F

05/26 02:55, 2月前 , 17F
中國一貫做法都是不計成本和良率.
05/26 02:55, 17F

05/26 03:10, 2月前 , 18F
GG輪班星人表示:繼續吹 (打呵欠)
05/26 03:10, 18F

05/26 03:24, 2月前 , 19F
多顆打一顆的效能?
05/26 03:24, 19F

05/26 15:47, 2月前 , 20F

05/26 15:47, 2月前 , 21F
該是華為一顆晶片單挑多顆晶片的意思
05/26 15:47, 21F
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