Re: [問題] 請問Flash的page/sector erase..
※ 引述《fakenews (賈欣雯)》之銘言：
: 最近碰到一些問題不是很明白
: 元件在測試flash"Page erase"的時候因為Disturb導致fail
: (先經過cycling讀寫一定次數)
: 不過老闆說一般flash都是"Sector erase"
: 請問這兩種要怎麼區分?
: 由於在做製程相關接觸這方便比較少..
: 請問有推薦的書籍或是研究方向嗎?
NOR flash: chip erase, block erase, half block erase, sector erase
NAND flash: chip erase, block erase
NOR的最小單位是Sector,NAND是Block，應該沒有所謂的沒有page erase
規格表上也沒有page erase。
請問，你所謂的page erase，page是多少byte?耗時多少呢?哪一家的Spec.
我很好奇~
如果真的切到page來做erase...那鄰近的page或是sector會有很嚴重的disturb
因為是相同的well，搞不好連refresh都沒辦法救，而且chip size會撐得很大。
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