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討論串[問題] 請問Flash的page/sector erase..
共 4 篇文章
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#4
Re: [問題] 請問Flash的page/sector erase..
推噓1(1推 0噓 0→)留言1則，0人參與, 最新作者jfsu (水精靈)時間8年前 (2017/06/24 02:11), 編輯資訊
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Sorry，原來是eFlash..沒做過，目前只碰過NOR/NAND. 憑你的內文，這是我推想的圖。. ╔═════════════╗. ║┌───────────┐║假設一個sector是由一些page組成。一個page上，. ║│ page0 WL→ΣΣ..ΣΣ │║由一條WL接很多個cell(
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#3
Re: [問題] 請問Flash的page/sector erase..
推噓1(1推 0噓 0→)留言1則，0人參與, 最新作者fakenews (賈欣雯)時間8年前 (2017/06/22 20:11), 編輯資訊
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我想會不會是checkboard資料型態寫入後,erase不乾淨直接影響到隔壁的WL?確實是一顆Embedded NV Flash Memory, eFLASH 128kB,測試條件是先cycling 10K後"Program 1 page (checkboard) per sector, back
(還有120個字)
#2
Re: [問題] 請問Flash的page/sector erase..
推噓2(2推 0噓 2→)留言4則，0人參與, 最新作者jfsu (水精靈)時間8年前 (2017/06/22 00:17), 8年前編輯資訊
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NOR flash: chip erase, block erase, half block erase, sector erase. NAND flash: chip erase, block erase. NOR的最小單位是Sector,NAND是Block，應該沒有所謂的沒有page eras
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#1
[問題] 請問Flash的page/sector erase..
推噓3(3推 0噓 2→)留言5則，0人參與, 最新作者fakenews (賈欣雯)時間8年前 (2017/06/20 23:09), 8年前編輯資訊
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最近碰到一些問題不是很明白. 元件在測試flash"Page erase"的時候因為Disturb導致fail. (先經過cycling讀寫一定次數). 不過老闆說一般flash都是"Sector erase". 請問這兩種要怎麼區分?. 由於在做製程相關接觸這方便比較少... 請問有推薦的書籍或是
(還有168個字)
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