[問題] 請問Flash的page/sector erase..

看板Electronics作者 (賈欣雯)時間8年前 (2017/06/20 23:09), 8年前編輯推噓3(3推 0噓 2→)
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最近碰到一些問題不是很明白 元件在測試flash"Page erase"的時候因為Disturb導致fail (先經過cycling讀寫一定次數) 不過老闆說一般flash都是"Sector erase" 請問這兩種要怎麼區分? 由於在做製程相關接觸這方便比較少.. 請問有推薦的書籍或是研究方向嗎? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 49.159.248.67 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1497971361.A.572.html
推
06/20 23:16, , 1F
要看哪一種flash 有些是block erase
06/20 23:16, 1F
推
06/20 23:23, , 2F
其實具體來說 用sector或block來erase怎麼實作看廠商
06/20 23:23, 2F
→
06/20 23:24, , 3F
不過你說的page erase似乎是page program? 小弟沒看過
06/20 23:24, 3F
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06/20 23:24, , 4F
有錯請指正
06/20 23:24, 4F
NOR flash,我的理解是sector是整面erase後針對單一word line program; Page erase則是讀寫都只針對單一WL http://imgur.com/a/MEBSI 類似此示意圖,是不是只要program對於鄰近的WL都 會有disturb?無可避免 ※ 編輯: fakenews (49.159.248.67), 06/20/2017 23:48:28
推
06/21 00:08, , 5F
sector erase沒有到整面erase這麼大,整面已經是chip erase
06/21 00:08, 5F
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