作者查詢 / W28327688
作者 W28327688 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共49則
限定看板:Electronics
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3F推: wiki搜尋current mirror就可以找到公式了01/09 17:47
1F推: 1.當跳線或預留孔位08/09 06:58
2F→: 2.保護IC,當電路上出現高頻突波時,小電容提供了一個08/09 07:02
3F→: 低阻抗的路徑,避免突波直接灌進IC08/09 07:02
4F→: 應該是這樣吧!?08/09 07:03
22F推: 在Isd*Ron<Vf時,電流都會走MOS通道,超過Vf就會變成兩07/20 15:35
23F→: 條路徑分流07/20 15:35
24F推: 兩個MOS串聯,除了cost增加和gate driver要改之外,熱07/20 16:11
25F→: 源增加,如果散熱不足,也可能會影響電解電容壽命。07/20 16:11
37F推: Isd^2*Ron和Isd*Vf誰比較小走誰,效率就比較好啊!07/20 23:34
1F推: 30Vdc對電感充?06/28 21:42
2F推: 單純的Vdc串RL電路,電感會飽和06/28 22:03
20F推: 電流漣波會影響電解電容壽命05/12 10:24
3F推: 阻抗沒匹配吧,函數產生器通常輸出是50歐姆,但普通的05/01 19:55
4F→: 被動探棒是1M,示波器調一下阻抗應該就正常了05/01 19:55
1F推: 你從L流出去和N流回來的不是應該是一樣的東西嗎?04/11 16:16
1F推: 熱風槍溫度跟烙鐵差不多吧!?12/08 07:34
2F→: 我們公司的熱風槍大概都在380度左右12/08 07:35
3F推: 如果Isd*Rds(on)>Body diode的Vt,Isd會分流11/23 22:10
1F推: 可以06/02 08:31
9F推: 在有gate訊號且Id*Rds(on)小於Body diode的Vf的情況下06/02 13:54
10F→: ,S到D電流會是走Power Mos通道的06/02 13:54
11F推: 之前在研討會聽Virginia tech的Jason Lai演講時,他有06/02 13:58
12F→: show出他們實驗室量測的結果06/02 13:59