[問題] NMOS導通時body diode的行為

看板Electronics作者 (hunter)時間9年前 (2016/11/23 21:59), 9年前編輯推噓6(6推 0噓 8→)
留言14則, 6人參與, 最新討論串1/1
請問一個功率NMOS在turn on的時候， 此時電路的電流方向為由S流向D端， 若瞬間的電流非常大達數百安培導致Rdson上的跨壓極大， 甚至遠大於body diode導通的跨壓 此時電流會如何流動? 因小弟非半導體相關 對NMOS結構不了解 只能從等效模型來推斷 照等效模型來看電流應該會完全走body diode而不走N通道 請問是否正確? 感謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 36.231.97.60 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1479909592.A.EE0.html
推
11/23 22:05, , 1F
不會超過
11/23 22:05, 1F
→
11/23 22:09, , 2F
MOSFET應該會先屎掉
11/23 22:09, 2F
推
11/23 22:10, , 3F
如果Isd*Rds(on)>Body diode的Vt，Isd會分流
11/23 22:10, 3F
感謝回覆 如果是瞬間一根大電流幾百A 照MOS datasheet來看Isd*Rds(on)已經遠大於 此電流下body diode的跨壓 此時會分流還是完全流過body diode呢?兩者跨壓差了兩 倍以上 ※ 編輯: deansam (36.231.97.60), 11/23/2016 22:15:54
推
11/24 22:07, , 4F
這種情況有點像靜電放電(ESD)發生的情形，NMOS下的雜散
11/24 22:07, 4F
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11/24 22:09, , 5F
BJT或SCR會因為突來的高壓/高電流而導通或崩潰，此時的
11/24 22:09, 5F
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11/24 22:12, , 6F
元件特性已不在普通等效模型的範圍內~ ESD的時間短暫，
11/24 22:12, 6F
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11/24 22:14, , 7F
總能量有限，大部分有考量過的元件還能承受，承受不了的
11/24 22:14, 7F
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11/24 22:16, , 8F
就會燒壞(不一定能從外觀看到)，長時間高壓高電流應該算
11/24 22:16, 8F
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11/24 22:21, , 9F
是過度電性應力(EOS)，理論上正常操作情況下應避免出現
11/24 22:21, 9F
推
11/24 22:40, , 10F
圖中Id在Vds接近BV時直
11/24 22:40, 10F
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11/24 22:41, , 11F
線上升，對應到實際情況就是發熱、再來就燒惹~
11/24 22:41, 11F
推
11/24 22:56, , 12F
接W大的話，會分流直到Isd*Rds=Vd，bodydiode流過電流
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11/24 22:56, , 13F
也是有壓降有等效內阻的
11/24 22:56, 13F
推
12/22 23:32, , 14F
你確定嗎？
12/22 23:32, 14F
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