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9F→: 五樓兩用插座140.131.157.241 09/13 14:53
71F推: 沒有違法140.131.157.241 09/13 14:50
477F→: 複製2000年 扁獲勝 連被棄保140.131.157.241 09/13 14:43
693F→: 複製2000年 阿扁獲勝 國魚被棄保140.131.157.241 09/13 14:42
456F推: 複製2000年選舉 阿扁獲勝 韓被棄保140.131.157.241 09/13 14:40
8F→: Jude09/10 23:26
9F→: a09/10 23:30
10F推: Si和GaAs能帶結構不同Si(非直接能隙)|GaAs(直接能隙)08/28 15:15
11F→: Si(非直接能隙)激子躍遷伴隨聲子的吸收與放出(吸放熱)08/28 15:17
12F→: 要讀元件物理之前最好先精讀有關固態物理中有關半導體08/28 15:19
13F→: 性質的部分08/28 15:20
14F推: 費米分佈最主要計算不同參雜及溫度之下,電子多寡08/28 15:28
15F→: 反之也是電洞多寡,再非絕對零度在價帶的電子會受熱從08/28 15:33
16F→: 價帶受熱跳到導帶,費米分部就是去算導(價)帶的載子分08/28 15:36
17F→: 子分佈的變化,在純及絕對零度的半導體在費米能階上下08/28 15:39
18F→: 分佈機率各是一半一半,但這是一種理想狀態08/28 15:40
19F推: 修正一下在絕對零度電子填滿價帶而導是空的08/28 18:56
20F→: 帶08/28 18:58
21F推: 補充一下所謂能帶是部分連續的(由一堆很密的能階組成)09/09 21:47
22F→: 導帶和價帶都是載子可以存在的部分,不能存在的叫禁帶09/09 22:00
23F→: 另外有效參雜可以在禁帶產生能階可以加速載子的移動09/09 22:10
24F→: 修正一下是濃度不是速度(很久沒看書了)09/09 22:15
20F推: 以前我國高中時被言語霸凌,每當想自戕時我就會在紙09/09 13:36
21F→: 上寫著"暫時苟活著也許將來會出現奇蹟",就用這句話09/09 13:38
18F→: 建立寫日記的習慣,把自己精神為何不好寫再上面09/09 12:31
19F→: 也可以痛罵討厭的人,平時不敢說的寫在上面09/09 12:36
20F→: 然後把日記藏好,如果你有在看身心科09/09 12:40
21F→: 可以把記下來的東西跟醫生討論,醫生再對症下藥09/09 12:43
22F→: 運動也很好,但是要找有興趣的運動才能持久09/09 12:49
23F→: 還有冬天泡泡溫泉也不錯09/09 13:05
24F→: 還是找正面的紓解方式比較好09/09 13:06
26F→: 擦對方臉上140.131.157.241 09/08 11:26