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作者 outzumin 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共11則

限定看板：Electronics

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[ Electronics ]4 留言, 推噓總分: +2

作者: a1106abc - 發表於 2024/04/30 21:30(1年前)

3^F推outzumin: N+/N/N+ 沒差 channel 有gate控制05/02 07:52

4^F→outzumin: 我忘記IGZO TFT也是inversion mode嗎? 不是的話沒差05/02 07:53

1^F推outzumin: TFT就這樣直接ohmic contact 不用PNP PNP05/02 07:24

2^F→outzumin: 不用S/D doping05/02 07:24

[ Electronics ]10 留言, 推噓總分: +3

作者: woko - 發表於 2020/11/26 22:50(5年前)

2^F→outzumin: 理論上兩者互相獨立11/27 06:02

3^F→outzumin: 高溫u變差是因為晶格震動 VT下降是因為帶隙變小無相關11/27 06:03

[ Electronics ]7 留言, 推噓總分: +2

作者: anchang14 - 發表於 2017/10/08 22:02(8年前)

4^F→outzumin: 7跟5確定會有的 3還沒有肯定的答案10/09 10:11

5^F→outzumin: 也沒啥定義現在命名比較像是產品端給的代號10/09 10:13

6^F→outzumin: 並不代表真正的元件尺寸10/09 10:14

[ Electronics ]3 留言, 推噓總分: +2

作者: p94107 - 發表於 2016/05/19 23:23(9年前)

2^F推outzumin: C-V: dopant density; Hall: ionized dopant density05/30 23:38

3^F→outzumin: or carrier density dopant/=carrier05/30 23:41

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