[問題] 載子濃度(霍爾量測vs.C-V量測)

看板Electronics作者 (Laikang)時間8年前 (2016/05/19 23:23), 8年前編輯推噓2(2推 0噓 1→)
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各位板上的大大好 小弟最近在讀半導體物理時 看到了霍爾量測和C-V量測都可以得到載子濃度 C-V量測是在 PN和MOS的章節知道的 但是不知道這兩種方式得到的載子濃度有甚麼差異 或者是兩個量測的元件不同? 麻煩板上的大大給小弟一點指點 謝謝!! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 218.161.49.187 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1463671413.A.B25.html ※ 編輯: p94107 (218.161.49.187), 05/19/2016 23:25:24
推
05/20 11:06, , 1F
CV量測回推的是bulk濃度 Hall是sheet carrier density
05/20 11:06, 1F
推
05/30 23:38, , 2F
C-V: dopant density; Hall: ionized dopant density
05/30 23:38, 2F
→
05/30 23:41, , 3F
or carrier density dopant/=carrier
05/30 23:41, 3F
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