[問題] MOS的移動率(u)和起始電壓(Vth)的關係

看板Electronics作者 (孤.獨.一.痕)時間5年前 (2020/11/26 22:50), 編輯推噓3(3推 0噓 7→)
留言10則, 5人參與, 5年前最新討論串1/1
如題 最近在跑一些單顆元件的特性 發現FF corner條件下 mobility會變快/Vth會降低 SS corner則是mobility變慢/Vth變大 請問mobility和Vth有交互關係嗎? MOS有mobility和Vth同時變大或同時變小的corner嗎? 麻煩對這方面有經驗的先進指點一下 謝謝~ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 60.250.207.217 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1606402254.A.BBC.html
→
11/27 00:01, 5年前 , 1F
高溫u變差vt下降
11/27 00:01, 1F
→
11/27 06:02, 5年前 , 2F
理論上兩者互相獨立
11/27 06:02, 2F
→
11/27 06:03, 5年前 , 3F
高溫u變差是因為晶格震動 VT下降是因為帶隙變小 無相關
11/27 06:03, 3F
推
12/07 18:30, 5年前 , 4F
SS/FF corner 的意思就是表示MOS 慢/快的狀況
12/07 18:30, 4F
→
12/07 18:30, 5年前 , 5F
所以當然是不需要mobility高且VTH大的corner
12/07 18:30, 5F
→
12/07 18:30, 5年前 , 6F
因為就不是極端的狀況了
12/07 18:30, 6F
推
12/08 11:09, 5年前 , 7F
inverse temperature
12/08 11:09, 7F
→
12/08 11:13, 5年前 , 8F
如果你想看最後綜合表現的話 這個你就得看了
12/08 11:13, 8F
→
12/08 11:15, 5年前 , 9F
如果你只是研究一般mos 教科書中那種 到是沒這問題
12/08 11:15, 9F
推
12/09 20:51, 5年前 , 10F
45nm一下須考慮
12/09 20:51, 10F
‣ 更多 woko 的文章
文章代碼(AID): #1Vly3Eky (Electronics)