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作者 joshhuang100 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共25則

限定看板：Electronics

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[問題] FinFET poly 製程疑問

[ Electronics ]4 留言, 推噓總分: +1

作者: Johnson1005 - 發表於 2023/08/29 18:42(2年前)

1^F推joshhuang100: 整體來說沒問題唯一一個bug 是fin top 的necking09/01 22:47

2^F→joshhuang100: 其實會讓WFM難吃掉，所以怎麼維持上端的funnel 到底09/01 22:47

3^F→joshhuang100: 部footing 是很難的課題09/01 22:47

[問題] 關於vth

[ Electronics ]19 留言, 推噓總分: +7

作者: darksoul8507 - 發表於 2021/11/19 15:17(4年前)

14^F推joshhuang100: 柵極功函數, 基板參雜/材料11/23 01:21

[問題] 記憶體元件Tox可靠度問題

[ Electronics ]14 留言, 推噓總分: +3

作者: enix09 - 發表於 2018/05/27 00:04(7年前)

9^F推joshhuang100: Q2以課本公式算一下就會知道，要非常多的缺陷產生才05/27 10:52

10^F→joshhuang100: 會造成明顯的Vt漂移，更多時候其實是電子被Intrude05/27 10:52

11^F→joshhuang100: 捕捉洗不出來，依照不同結構會更明顯，尤其是3D結構05/27 10:52

12^F→joshhuang100: *Nitride05/27 10:53

[問題] 計算矽本質載子濃度消失

[ Electronics ]10 留言, 推噓總分: +3

作者: iwantzzz - 發表於 2018/04/05 12:33(7年前)

3^F推joshhuang100: 忘了開根號？04/05 20:34

Fw: [理工] Diode

[ Electronics ]5 留言, 推噓總分: +2

作者: suspect1 - 發表於 2018/02/24 17:20(7年前)

5^F推joshhuang100: 這假設 Vo=2V < 5V 右邊為逆偏也會off喔02/25 01:27

[問題] 請問這個儀器叫什麼？

[ Electronics ]5 留言, 推噓總分: +3

作者: wth47152001 - 發表於 2018/02/22 14:43(7年前)

1^F推joshhuang100: LS123 uv power meter照打咕狗第一頁就有了阿02/22 14:58

Fw: [請益] TCAD模擬軟體選擇問題請教

[ Electronics ]2 留言, 推噓總分: +1

作者: linm2580 - 發表於 2017/08/18 10:57(8年前)

9^F推joshhuang100: 跟國網中心申請floating license三年十萬限學術使08/18 13:14

10^F→joshhuang100: 用08/18 13:14

[問題] 電機系選組問題

[ Electronics ]41 留言, 推噓總分: +18

作者: g1990822 - 發表於 2017/07/18 02:49(8年前)

3^F推joshhuang100: 建議去研所版問都老問題了拍個文也都有07/18 04:50

18^F推joshhuang100: 你覺得念醫科的會擔心出來他只能當醫生嗎? 其實固態07/19 01:14

19^F→joshhuang100: 的公司非常多，整個ic生產線從前段設計到後段封裝，07/19 01:14

20^F→joshhuang100: 不是只有一家gg這麼簡單，出路不是問題，反倒覺得應07/19 01:14

21^F→joshhuang100: 該優先考慮興趣才是07/19 01:14

22^F推joshhuang100: 話說ic公司的工時絕對不會比輪班的固態公司來的低喔07/19 01:31

23^F→joshhuang100: ，這就是目前科技業的環境07/19 01:31

[問題] 為何p Type 基板（Boron doped) 比n Type

[ Electronics ]4 留言, 推噓總分: +3

作者: pengpengya - 發表於 2017/07/13 22:13(8年前)

2^F推joshhuang100: 基板長晶是in-situ dope應該跟擴散無關反倒在p-typ07/14 12:31

3^F→joshhuang100: e上做PFET要考慮n-well的擴散 (phosphorus)07/14 12:31

[問題] channel length 在同一製成可以不同?

[ Electronics ]19 留言, 推噓總分: +4

作者: letitgo02 - 發表於 2017/06/28 22:22(8年前)

4^F推joshhuang100: 是的06/29 08:42

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