[問題] FinFET poly 製程疑問

看板Electronics作者 (Johnson)時間8月前 (2023/08/29 18:42), 編輯推噓1(1推 0噓 2→)
留言3則, 1人參與, 8月前最新討論串1/1
小弟最近在研究FinFET製程中Poly的profile 想問各位大大我的認知是不是正確的： 示意圖中poly的gate height位子 會作成上寬下窄是為了在poly remove好把poly 掏乾淨 及好填work function metal填的好； 而在poly fin top 到poly fin bottom中Fin bottom的poly做的寬是為了降DIBL 如示意圖： https://i.imgur.com/mgXBEyn.jpg
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推
09/01 22:47, 8月前 , 1F
整體來說沒問題 唯一一個bug 是fin top 的necking
09/01 22:47, 1F
→
09/01 22:47, 8月前 , 2F
其實會讓WFM難吃掉，所以怎麼維持上端的funnel 到底
09/01 22:47, 2F
→
09/01 22:47, 8月前 , 3F
部footing 是很難的課題
09/01 22:47, 3F
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