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作者 Jeffch 在 PTT 全部看板的留言(推文), 共236則

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[問題] 關於複數折射率換算

[ NEMS ]10 留言, 推噓總分: +2

作者: InoueToro - 發表於 2013/05/25 14:49(11年前)

1^F推Jeffch:利用多次反射/干涉推導出T,A,R與波長的關係，公式應該很多05/26 01:27

2^F→Jeffch:教科書有列吧，不過實際上要fit是很不容易的，如我是已經材05/26 01:28

3^F→Jeffch:料要fit出厚度還比較容易一點05/26 01:30

4^F→Jeffch: 打錯=>如果是已知材05/26 01:32

5^F→Jeffch:補充，如果有量測多種角度會好一點(不然就用ellipsometry)05/26 01:33

10^F推Jeffch:膜厚大約多少?單層?基版厚度?基版材質05/31 05:55

[問題] Oxide dry etching profile

[ NEMS ]11 留言, 推噓總分: +3

作者: Ren211225 - 發表於 2013/05/15 01:11(11年前)

1^F推Jeffch:可以試著增加氣壓看看(維持固定氣體比例及功率)05/15 02:32

9^F推Jeffch:借標題問一下。想請教為什麼蝕刻oxide需要用到O2?05/23 04:22

[問題] 關於色度座標

[ Physics ]5 留言, 推噓總分: +2

作者: wyech - 發表於 2013/05/10 02:44(11年前)

1^F推Jeffch:沒什麼特別意思，就只能說妳的光源演色性很差，離正常黑體05/11 00:19

2^F→Jeffch:輻射的色度差很多而已05/11 00:19

3^F推Jeffch:比如說"接近"單一波長的雷射光源，換算色度座標應該都跑到05/11 00:22

4^F→Jeffch:你的圖外了05/11 00:22

[問題] PDMS翻膜線寬180nm的光柵形結構

[ NEMS ]18 留言, 推噓總分: +8

作者: tengyuan - 發表於 2013/05/08 21:02(11年前)

1^F推Jeffch:深度是多少?05/09 05:43

[問題] icp 蝕刻 silicon

[ NEMS ]10 留言, 推噓總分: +2

作者: tengyuan - 發表於 2013/04/30 18:07(11年前)

1^F推Jeffch:你要吃多深?05/01 03:11

6^F推Jeffch:我沒有用過nr7-100做EBEAM，但就我用過的EBEAM光阻而言，正05/02 04:02

7^F→Jeffch:光阻(ZEP, PMMA,...)是比負光阻(NEB,...)耐打許多，如果你05/02 04:04

8^F→Jeffch:真的擔心的話可以把PMMA再加厚一點...05/02 04:05

[問題] KOH蝕刻P-type (100)Si 出金字塔結構

[ NEMS ]18 留言, 推噓總分: +4

作者: kcaj1009 - 發表於 2013/04/24 21:52(11年前)

1^F推Jeffch:這不就是你要形狀嗎?還是說你是要角錐不是圓錐??04/25 00:52

10^F推Jeffch:雖然是Anisotropic Etch但還是會同時往兩個不同的面吃，04/27 02:33

11^F→Jeffch:http://www.cleanroom.byu.edu/KOH.phtml04/27 02:34

12^F→Jeffch:(100):(110)看起來大概是1:1.5吧 (不同濃度不同溫度略有04/27 02:35

13^F→Jeffch:差異，感覺會造成你這樣的效果應該蠻正常的。04/27 02:35

[請益] 請問AAO模板拍攝SEM!!!

[ Master_D ]2 留言, 推噓總分: +1

作者: OHYABE - 發表於 2013/04/23 16:07(11年前)

2^F推Jeffch:1.有水氣抽真空會抽很久 2.技術好的話可以不用鍍金04/28 16:31

[問題] 關於電容與磁場

[ Electronics ]4 留言, 推噓總分: +3

作者: ryan055424 - 發表於 2013/04/23 12:46(11年前)

4^F推Jeffch:可以試著從實際電容的內部結構思考04/28 17:05

[問題]AFM的surface 跟 horizontal distance

[ NEMS ]5 留言, 推噓總分: +2

作者: tengyuan - 發表於 2013/04/13 00:49(11年前)

1^F推Jeffch:因為樣品表面可能不是水平的，所以水平距離和實際距離會有04/13 00:53

2^F→Jeffch:一點不一樣，差一個sinθ (or cosθ)。04/13 00:55

5^F推Jeffch:這問題可能要問你自己，反正拉線不是都隨便亂拉的嗎?..(誤)04/13 03:35

Re: [問題] 用正光阻LIFT OFF

[ NEMS ]17 留言, 推噓總分: +3

作者: LittleBlue21 - 發表於 2013/04/11 01:03(11年前)

11^F推Jeffch:http://kni.caltech.edu/facilities/msds/hmds.pdf04/12 00:47

12^F→Jeffch:11. Toxicological Information04/12 00:48

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