[問題] icp 蝕刻 silicon

看板NEMS作者 (tengyuan)時間11年前 (2013/04/30 18:07), 編輯推噓2(2推 0噓 8→)
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我請人幫我製作e beam writer 上的光阻是pmma a4 厚度約200nm 因本實驗室沒有這方面的經驗 但有負型光阻nr7-1000p 有去做過icp的參數 STEP1 STEP2 CF4 20 CL2 20 ICP POWER 600 600 BIAS POWER 200 200 PRESSURE 4 4 TIME 60s 約1-2min 我只要蝕刻silicon，pattern是光柵狀的，週期360nm，線寬180nm 不知是否可用上面nr7-100的參數來對應pmma的參數? 我最後有做硬烤的動作 100度/90sec 不知pmma是否耐不耐打? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.117.32.248
推
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你要吃多深?
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我希望能夠吃100nm~200nm左右
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哪一家的機台?
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中山的，nr7-1000p的光阻用上面的參數打Cl2一分鐘~150nm
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三分鐘約快300nm，只是打太久感覺邊邊有被吃掉的感覺
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推
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我沒有用過nr7-100做EBEAM，但就我用過的EBEAM光阻而言，正
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光阻(ZEP, PMMA,...)是比負光阻(NEB,...)耐打許多，如果你
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真的擔心的話可以把PMMA再加厚一點...
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nr7-1000p是用黃光微影做的，EBEAM是用PMMA做的
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05/17 18:47, , 10F
中山是哪一家的機台??STS??Oxford?各家的選擇比有差
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