作者查詢 / Jeffch
作者 Jeffch 在 PTT [ NEMS ] 看板的留言(推文), 共82則
限定看板:NEMS
看板排序:
1F推:0.61lambda/NA01/10 14:43
2F推:其實有可能直接撥離,要看dimension多大08/27 05:16
1F推:小弟之前鍍Al2O3時也常因為Oxide過度逸散,導致真空度不易07/25 03:16
2F→:保持,造成ARC,往往需要降低電流或是先讓CHAMBER抽至較高07/25 03:17
3F→:真空度才得以避免ARC07/25 03:18
1F推:search Back Deposition07/12 05:19
1F推:利用多次反射/干涉推導出T,A,R與波長的關係,公式應該很多05/26 01:27
2F→:教科書有列吧,不過實際上要fit是很不容易的,如我是已經材05/26 01:28
3F→:料要fit出厚度還比較容易一點05/26 01:30
4F→: 打錯=>如果是已知材05/26 01:32
5F→:補充,如果有量測多種角度會好一點(不然就用ellipsometry)05/26 01:33
10F推:膜厚大約多少?單層?基版厚度?基版材質05/31 05:55
1F推:可以試著增加氣壓看看(維持固定氣體比例及功率)05/15 02:32
9F推:借標題問一下。想請教為什麼蝕刻oxide需要用到O2?05/23 04:22
1F推:深度是多少?05/09 05:43
1F推:你要吃多深?05/01 03:11
6F推:我沒有用過nr7-100做EBEAM,但就我用過的EBEAM光阻而言,正05/02 04:02
7F→:光阻(ZEP, PMMA,...)是比負光阻(NEB,...)耐打許多,如果你05/02 04:04
8F→:真的擔心的話可以把PMMA再加厚一點...05/02 04:05
1F推:這不就是你要形狀嗎?還是說你是要角錐不是圓錐??04/25 00:52
10F推:雖然是Anisotropic Etch但還是會同時往兩個不同的面吃,04/27 02:33
11F→:http://www.cleanroom.byu.edu/KOH.phtml04/27 02:34
12F→:(100):(110)看起來大概是1:1.5吧 (不同濃度不同溫度略有04/27 02:35
13F→:差異,感覺會造成你這樣的效果應該蠻正常的。04/27 02:35
1F推:因為樣品表面可能不是水平的,所以水平距離和實際距離會有04/13 00:53
2F→:一點不一樣,差一個sinθ (or cosθ)。04/13 00:55
5F推:這問題可能要問你自己,反正拉線不是都隨便亂拉的嗎?..(誤)04/13 03:35