作者查詢 / hoppy0626

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作者 hoppy0626 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共31則

限定看板：Electronics

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[問題] 想請問這個MOS曲線

[ Electronics ]3 留言, 推噓總分: +1

作者: ansen0988 - 發表於 2017/05/10 16:46(7年前)

1^F→hoppy0626: 左下是depletion 右上是strong inversion05/12 16:03

2^F→hoppy0626: y軸 Q可以用C積分得到從flatband往上積05/12 16:04

[問題] poly depletion 原理

[ Electronics ]5 留言, 推噓總分: +1

作者: highcal24 - 發表於 2016/09/26 23:21(7年前)

1^F→hoppy0626: MOS結構中的poly gate在oxide電場很大的情況下(通常是09/28 19:15

2^F→hoppy0626: 在semiconductor端為strong inverion時) 會有一09/28 19:16

3^F→hoppy0626: depletion region造成等效的oxide thickness變厚09/28 19:17

[問題] 半導體物理 DIBL 與 body effect 差異

[ Electronics ]64 留言, 推噓總分: +3

作者: crab321 - 發表於 2016/09/26 18:19(7年前)

22^F→hoppy0626: DIBL造成drain端depletion region變大這件事和DIBL並09/28 19:08

23^F→hoppy0626: 非一充要條件重要的是channel要夠短造成source端的09/28 19:08

24^F→hoppy0626: energy barrier下降也就是說在source端depletion09/28 19:09

25^F→hoppy0626: region是變小的而body bias則是相反增加source端的09/28 19:10

26^F→hoppy0626: energy barrier09/28 19:10

27^F→hoppy0626: 重點是在source end的potential barrier或depletion09/28 19:12

28^F→hoppy0626: region 看你喜歡哪一種理解方式09/28 19:12

35^F推hoppy0626: 如果是從charge sharing的角度可能negative body bi09/29 09:06

36^F→hoppy0626: as也會增加channel的depletion region09/29 09:06

37^F→hoppy0626: 應該說垂直方向的depletion也會有影響09/29 09:28

38^F→hoppy0626: 不過DIBL要如何用charge sharing解釋你說的梯形depl09/29 09:33

39^F→hoppy0626: etion應該是用來解釋Vt roll-off09/29 09:33

40^F→hoppy0626: 我還沒想清楚dibl的解釋09/29 09:34

41^F→hoppy0626: 我個人覺得用potential energy的方式想比較簡單XD09/29 09:36

46^F→hoppy0626: 我指的垂直方向是在gate以下不是S/D to body09/29 14:21

47^F→hoppy0626: charge sharing model的精神應該是在於用channel中的09/29 14:28

48^F→hoppy0626: depletion charge去找Vt的大小由於short channel的時09/29 14:29

49^F→hoppy0626: 候 channel裡的depletion charge不完全是被gate所控制09/29 14:30

50^F→hoppy0626: 有一些是SD與channel間的junction depletion09/29 14:31

51^F→hoppy0626: 因此當channel縮短之後填滿channel depletion的charge09/29 14:32

52^F→hoppy0626: 的量減少 Vt因此降低然而body bias會造成垂直方向的ch09/29 14:33

53^F→hoppy0626: annel depletion變大 Vt自然也提高了09/29 14:33

62^F→hoppy0626: DIBL我覺得不難理解當drain端的電壓高而且channel09/29 18:39

63^F→hoppy0626: length短的時候 drain端的電場就會通過depletion regio09/29 18:39

64^F→hoppy0626: n 去影響source end barrier09/29 18:40

[問題] Hall effect device

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作者: KirAXmas - 發表於 2016/05/15 20:59(8年前)

4^F→hoppy0626: 降低spreading resistance?05/17 08:59

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