作者查詢 / crab321
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4F→: 回應一下樓上H大,抱歉可能是我的描述不夠清楚。09/28 09:40
5F→: 我記得書上說的DIBL 是因為短通道元件下,DRAIN偏壓增大09/28 09:42
6F→: 導致DRAIN端的空乏區(相較BODY為逆偏)往通道延伸,並且09/28 09:43
7F→: 靠近SOURCE 與其相互作用導致SOURCE的能障減低,載子容易09/28 09:44
8F→: 流通,而降低Vth09/28 09:44
9F→: BODY EFFECT 則是因為基板相較於SOURCE有一低偏壓Vsb,09/28 09:47
10F→: 使得基板端費米能階向上抬升,能帶彎曲增大,表示SOURCE09/28 09:49
11F→: 的空乏區往通道延伸,因為空乏區為帶負電性電荷,因此考09/28 09:50
12F→: 量電中性,GATE端需要更多正電荷(表示需要更多正偏壓),09/28 09:51
13F→: 因此Vth增加。09/28 09:51
14F→: 而我的疑問是,同樣都是空乏區往通道延伸,怎麼造成的影09/28 09:52
15F→: 響截然不同??09/28 09:53
20F→: 不太懂,BODY EFFECT和DIBL不都是有Vg和Vd,只是前者多了09/28 11:25
21F→: Vsb的偏壓09/28 11:25
29F→: 回應樓上HOPPY大,會有這疑惑是因為在學short channel09/28 20:26
30F→: effect 時,書上的解釋是因為source & drain 兩端的09/28 20:26
31F→: space charge region往channel 延伸,因此gate能控制的09/28 20:27
32F→: inverse charge 變少(剩下梯形區),所以Vth降低。09/28 20:28
33F→: 為何body effect 同樣source 端 depletion region 往通09/28 20:30
34F→: 道延伸,反而增加Vth?09/28 20:31
42F→: 在施加body bias時造成的source的depletion region延伸,09/29 10:16
43F→: 不論是水平亦或是垂直方向,region內的電荷都是受Vsb控制09/29 10:17
44F→: 所以就Vg角度而言,應該就像short channel effect類似,09/29 10:19
45F→: 可控制inverse charge變少,Vth 應該下降?!09/29 10:20
54F→: 感謝,上面一段話幫助我釐清short channel和body effect09/29 14:59
55F→: 的相異處。09/29 14:59
56F→: 不過因為不能理解DIBL降低Source的barrier的背後機制,所09/29 15:01
57F→: 以才嘗試著用charge sharing model 去理解,指可惜好像撞09/29 15:02
58F→: 牆了....不知道有沒有其他的理解方式?一般書上就只說Vd增09/29 15:03
59F→: 加,在short channel device,會使得source的potential09/29 15:04
60F→: barrier 降低,載子更容易跨越,subthreshold current 增09/29 15:06
61F→: 加....09/29 15:07
647F推: PDF Reader 6 Premium給我iOS 8專屬擴充功能11/06 00:58
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