[問題] poly depletion 原理

看板Electronics作者 (Chuck Chuck )時間9年前 (2016/09/26 23:21), 編輯推噓1(1推 0噓 4→)
留言5則, 3人參與, 最新討論串1/1
請問大家 poly depletion 的原理是什麼 找了很多資料都找不到 資料也不多 沒什麼提到原理 想請問大家了 感恩! -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 36.224.252.120 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1474903294.A.D8D.html
→
09/28 19:15, , 1F
MOS結構中的poly gate在oxide電場很大的情況下(通常是
09/28 19:15, 1F
→
09/28 19:16, , 2F
在semiconductor端為strong inverion時) 會有一
09/28 19:16, 2F
→
09/28 19:17, , 3F
depletion region造成等效的oxide thickness變厚
09/28 19:17, 3F
→
09/29 09:12, , 4F
謝謝！
09/29 09:12, 4F
推
10/04 01:31, , 5F
Hoppy大大好猛
10/04 01:31, 5F
‣ 更多 highcal24 的文章
文章代碼(AID): #1NwJp-sD (Electronics)