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作者 deepwoody 在 PTT [ Electronics ] 看板的留言(推文), 共24則
限定看板:Electronics
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13F推: 如果只是簡單的Ring oscillator 可以直接TCAD mix mode06/28 09:50
1F推: 應該是因為溫度低 mean free path越長 電子越不容易在06/07 13:54
2F→: transport的過程中損失能量 所以可以更容易被電場加速06/07 13:55
3F→: 而導致hot carrier effect06/07 13:55
15F推: hall effect05/30 12:43
1F推: 因為pin的i層會吃掉大多數的壓降 而i層又很長 所以整體06/10 04:00
2F→: 電場小 比較不容易崩潰06/10 04:01
1F推: 畫Fermi level才對10/09 14:11
6F推: 看他的多數載子是跟誰比吧 而且也沒說是BJT還是MOSFET10/24 14:48
7F→: 姑且假設他是BJT好了 NPN電流由emitter(射極)電子主導10/24 14:49
8F→: 反之PNP是由電洞主導 所以是不是多數看他參考區域是哪10/24 14:49
9F→: 裡...10/24 14:49
10F→: FET電流是由閘極加電壓吸引少數載子形成反轉層 連接源10/24 14:51
11F→: 和汲極 因而可由汲極汲取電流10/24 14:52
1F推: 溫度越高 越容易ionize dopant 也就是越多載子05/15 08:26
2F→: 但是在相同參雜濃度下 載子濃度相同 所以費米能階在溫05/15 08:27
3F→: 度高的時候可以靠近Ei 使得不同溫度時載子濃度相同05/15 08:27
2F推: k大 BJT的飽和區不是指電流飽和喔12/07 06:22
3F→: 舉例pnp 在飽和區EB BC接面均在forward-biased12/07 06:23
4F→: 此時兩邊pn junciton之電洞電流匯聚在base12/07 06:23
5F→: 故base的電洞"飽和"12/07 06:24
1F推: / Xmax 20 = Xmax/2012/01 01:07
2F→: mesh一格就是一個資料點 點越多當然越準 但要跑更久12/01 01:08
8F推: 兩組代表一條對角線 如此便能定義出矩形區域12/02 12:27
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