[問題] BJT的飽和區

看板Electronics作者 (想帳號也能一直op)時間10年前 (2015/12/07 00:23), 編輯推噓3(306)
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大家好 想請教一個問題 雖然你們可能覺得我有點愚蠢 ... 就是 BJT的飽和區 到底是什麼東西飽和了啊 = = 我已經苦惱好幾天了 上網找只找得到百度的網站也看不太懂 懇請賜教 謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.35.107.122 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1449419022.A.73E.html

12/07 01:24, , 1F
電流飽和 看看I-V曲線
12/07 01:24, 1F

12/07 06:22, , 2F
k大 BJT的飽和區不是指電流飽和喔
12/07 06:22, 2F

12/07 06:23, , 3F
舉例pnp 在飽和區EB BC接面均在forward-biased
12/07 06:23, 3F

12/07 06:23, , 4F
此時兩邊pn junciton之電洞電流匯聚在base
12/07 06:23, 4F

12/07 06:24, , 5F
故base的電洞"飽和"
12/07 06:24, 5F

12/07 16:39, , 6F
forward bias表示pn接面順偏(電由p流向n)
12/07 16:39, 6F

12/07 17:31, , 7F
sorry 頭昏想成MOS..
12/07 17:31, 7F

12/18 21:33, , 8F
真的如陳龍英說的,MOSFET的名稱取錯了
12/18 21:33, 8F

12/21 14:52, , 9F
由IV圖看是電流飽和 但其實是通道飽和
12/21 14:52, 9F
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