[問題] 溫度越高，費米能階越靠近Ei?

看板Electronics作者 (Neo)時間8年前 (2016/05/15 01:58), 編輯推噓4(4推 0噓 4→)
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下面兩張圖片，都顯示在同樣參雜濃度下，溫度越高費米能階會越靠近Ei 想問一下這樣的趨勢原理何在? http://i.imgur.com/VJWYNiU.jpg
http://i.imgur.com/pq3DEHF.jpg
還請不吝解惑~ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 122.121.217.236 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1463248694.A.970.html
推
05/15 08:26, , 1F
溫度越高 越容易ionize dopant 也就是越多載子
05/15 08:26, 1F
→
05/15 08:27, , 2F
但是在相同參雜濃度下 載子濃度相同 所以費米能階在溫
05/15 08:27, 2F
→
05/15 08:27, , 3F
度高的時候可以靠近Ei 使得不同溫度時載子濃度相同
05/15 08:27, 3F
推
05/15 10:52, , 4F
大略有兩個原因 一個是變溫的時候 Eg也會隨溫度變化
05/15 10:52, 4F
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05/15 10:53, , 5F
另一個是溫度上升 intrinsic的載子濃度增加
05/15 10:53, 5F
→
05/15 10:53, , 6F
當增加超過你doping的濃度 就會變成由ni dominate
05/15 10:53, 6F
推
05/15 23:51, , 7F
05/15 23:51, 7F
推
05/16 14:09, , 8F
發現有打錯~ 修正 http://i.imgur.com/NFMkshf.jpg
05/16 14:09, 8F
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