Re: [問題] 奈米科技展之主題~謝謝
※ 引述《Geigemachen ()》之銘言：
: : 5.邱雅萍助理教授 (國立中山大學/物理系)
: : Direct Observation of interface structure in epitaxial Gd2O3 on GaAs(100)
: : by STM
: : ↑↑↑↑↑↑↑↑
: : 翻為：用STM直接研究Gd2O3(氧化釓)附在GaAs(砷化鎵?)上之介面結構
: : 問題：
: : 1.STM是指掃描穿遂電子顯微鏡(scanning tunneling microscope)
: 是的
: : 2.GaAs(100)中的100是指?? 向量? 晶格位置?
: 方向。
: (100)是對應GaAs晶格三個座標軸的第一個座標軸上，
: 掃描穿隧電子顯微鏡的電子往第一個座標軸上打過去
這部份有點小誤會，一般材料的結構表示上，(100)指的是晶面，方向會用<hkl>
意思是Gd2O3是磊晶成長在GaAs的(100)晶面上的
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◆ From: 140.114.230.112
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