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討論串[問題] 奈米科技展之主題~謝謝
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#6
Re: [問題] 奈米科技展之主題~謝謝
推噓1(1推 0噓 0→)留言1則，0人參與, 最新作者sputtering (水煮青蛙全球暖化)時間16年前 (2009/09/15 17:59), 編輯資訊
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問一下Gd_sub2O_sub3是什麼lattice structure?. --. ~~ 笑容面對惡意 溫柔面對傷害 ~~. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 203.71.15.152.
#5
Re: [問題] 奈米科技展之主題~謝謝
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者Geigemachen時間16年前 (2009/09/14 07:20), 編輯資訊
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c大說得對，"in epitaxial Gd2O3 on GaAs(100)"的(100)語義必然強調. 成長方向是沒錯的。我原來那樣寫會讓人忽略最重要的成長步驟，. 邏輯順序上照c大按部就班來描述比較好。. Direct Observation of interface structure in
(還有1238個字)
#4
Re: [問題] 奈米科技展之主題~謝謝
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者ckyLu (So what.)時間16年前 (2009/09/13 21:40), 編輯資訊
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這部份有點小誤會，一般材料的結構表示上，(100)指的是晶面，方向會用<hkl>. 意思是Gd2O3是磊晶成長在GaAs的(100)晶面上的. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 140.114.230.112.
#3
Re: [問題] 奈米科技展之主題~謝謝
推噓0(0推 0噓 1→)留言1則，0人參與, 最新作者Geigemachen時間16年前 (2009/09/13 00:50), 編輯資訊
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應該是”實現”(自動控制與系統專門術語)，. 在Si CMOS以外實現鍺與V-III族(化合物)的MOSFET. III-V是三五族材料，週期表IIIA族(硼鋁鎵銦鉈)與VA族(氮磷砷銻鉍)的化合物. 不需要反過來，都是一樣的意思. 是的，因為CMOS也可以不在矽晶圓上面做。. 不能這樣分，. MO
(還有643個字)
#2
Re: [問題] 奈米科技展之主題~謝謝
推噓0(0推 0噓 1→)留言1則，0人參與, 最新作者huges0111 (okok)時間16年前 (2009/09/13 00:46), 編輯資訊
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翻成"實現相容於矽CMOS製程的鍺及三五族金氧半場效電晶體". 約定俗成的寫法，III-V就是指三五族化合物Complementary Metal-Oxide-Semiconductor(CMOS)是指一種積體電路製程技術因為在矽晶圓上製作，所以通常會加SiMOSFET指一種元件(金氧半場效電晶體)
(還有28個字)
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