Re: [問題] 奈米科技展之主題~謝謝
※ 引述《bmwfisher (大腸直長長)》之銘言：
: ※ [本文轉錄自 Electronics 看板]
: 作者: bmwfisher (大腸直長長) 站內: Electronics
: 標題: [問題] 奈米科技展之主題
: 時間: Sat Sep 12 23:42:27 2009
: 各位好~想請問各位專有名詞 這樣翻是否正確 以及資訊是否正確~謝謝
: 以下是科展的主題~請各位幫忙~謝謝
: --------------------------------------------
: 1.郭瑞年主任 (國立清華大學/物理系)
: Realization of Ge and III-V MOSFET beyond Si CMOS
: ↑↑↑↑↑↑↑↑
: 以上我翻為：了解 元素"鍺"與第V-III族元素之MOSFET運用於Si CMOS製程
應該是”實現”(自動控制與系統專門術語)，
在Si CMOS以外實現鍺與V-III族(化合物)的MOSFET
: 解釋為：用Ge以及第V-III元素做MOSFET(金氧半場效電晶體)來用在積體電路製程上
III-V是三五族材料，週期表IIIA族(硼鋁鎵銦鉈)與VA族(氮磷砷銻鉍)的化合物
: 問題：
: 1.為什麼III-V要反過來寫?
不需要反過來，都是一樣的意思
: 2.CMOS前面為何要加Si(矽?)，是特地要指定矽晶圓?
是的，因為CMOS也可以不在矽晶圓上面做。
: 3.MOSFET是算是一種方法? 而CMOS是一種完整製程?
不能這樣分，
MOSFET是以物理原理來區分的元件種類(含NMOS,PMOS,CMOS...等等)，
CMOS是MOSFET類別中的一種設計方式，把一對N-與P-電晶體合成一個元件。
: 2.劉致為教授 (國立臺灣大學/電子工程學研究所)
: High Mobility Technologies and Physics
: ↑↑↑↑↑↑↑↑
: 翻為：高流動性之技術與其物理特性
高漂移率(遷移率)
: 解釋為：查了這位教授的研究領域
: {應變矽／high K／金屬閘．積體SiGe/Si OEIC和PA．CMOS光電元件．MOS可靠度．SOI技術
: 問題：
: 1.什麼流動性技術?是說電子間的流動?
高遷移率技術，是指載子(電子或電洞)受到電場加速以後速度比較快的技術，
穩態速度=漂移率*施加給載子的電場
: 3.徐嘉鴻副研究員 (國家同步輻射研究中心)
: Structural Characteristics of Nano-thick High-k Dielectrics
: Grown on Semiconductors
: ↑↑↑↑↑↑↑↑
: 翻為：奈米級厚度的高介電材料之結構特性對半導體的影響
應該翻譯成”成長在半體體上的”奈米級厚度的高介電材料之結構特性
: 解譯為：就是要探討奈米厚度的半導體介電材料
: 問題：
: 1.Grown on是翻成影響還是磊晶呢?
grow一般翻譯為成長，廣義上可以包含磊晶以外的方法，
如Micro-pulling-down，再結晶等等。
磊晶是epitaxy，把一種晶格材料長在另一種晶格材料上。
: 2.Nani-thick應該是指厚度吧~或是其他意思?
是的，Nano-thick指薄膜厚度
: 3.所以這材料如果以厚度來說，它是粒子or膜or?
應用上是”膜”。
他的單體仍然是粒子，你不需要幫他們做非此即彼的二分。
: 4.謝光宇 處長 (旺宏電子股份有限公司奈米科技研發中心)
: The Challenge and Recent Development of Non-Volatile Memory
: ↑↑↑↑↑↑↑↑
: 翻為：挑戰並創新非揮發性記憶體
: 解釋為：旺宏是一家半導體商，所以要展示新型非揮發記憶體
: 問題：
: 非揮發性記憶體(Non-volatile memory)是指即使電源供應中斷，記憶體所儲存的資料
: 並不會消失，重新供電後，就能夠讀取內存資料的記憶體
: 1.快閃隨身碟就是此類型，想問的是一般桌機用的DDR-RAM
: 是(volatile)類的，不是(Non-volatile)沒錯吧?--
既然是RAM，就是volatile
: 2.目前non-volatile多用於MP3隨身聽，FLASH記憶體等隨身攜帶之產品是嗎?
是的，另外硬碟，光碟等等也是non-volatile memory
: 5.邱雅萍助理教授 (國立中山大學/物理系)
: Direct Observation of interface structure in epitaxial Gd2O3 on GaAs(100)
: by STM
: ↑↑↑↑↑↑↑↑
: 翻為：用STM直接研究Gd2O3(氧化釓)附在GaAs(砷化鎵?)上之介面結構
: 問題：
: 1.STM是指掃描穿遂電子顯微鏡(scanning tunneling microscope)
是的
: 2.GaAs(100)中的100是指?? 向量? 晶格位置?
方向。
(100)是對應GaAs晶格三個座標軸的第一個座標軸上，
掃描穿隧電子顯微鏡的電子往第一個座標軸上打過去
: 3.這可能是材料的問題，物理系也有做這一類研究的主要研究導向是?
STM是用來觀察結構的重要方式，很多領域差異極大的研究都可以用這個觀察工具。
1986年STM發明者因此獲得諾貝爾獎，這個方法應用很廣。
: 6.黃懋霖博士 (國立清華大學/材料科學工程學系)
: Atomic layer deposited high k on InGaAs: surface passivation
: ↑↑↑↑↑↑↑↑
: 翻為：原子層沉積(磊晶)於高相對介電係數之InGaAs(銦鎵砷?)上做為保護層
: OR
: 在InGaAs上沉積高介電材料原子層以做保護層(表面鈍化)
: 問題：
: 1.InGaAs是指元素還是這是一個專有名詞?
砷化銦鎵化合物：In(x)Ga(1-x)As
: 2.high k也是高介電材料的意思?
是的，
ε=κ*ε0
--
魚防水，無法呼吸啊......
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 118.160.144.6
※ 編輯: Geigemachen 來自: 118.160.144.6 (09/13 00:51)
※ 編輯: Geigemachen 來自: 118.160.144.6 (09/13 01:13)
※ 編輯: Geigemachen 來自: 118.160.144.6 (09/13 01:14)
→
09/13 09:34, , 1F
09/13 09:34, 1F
討論串 (同標題文章)