Re: [問題]請問pn接面二極體的空乏區
※ 引述《wqert (衝衝衝)》之銘言：
: ※ 引述《Yangbin (Yangbin)》之銘言：
: : 但是空乏區不是因為"缺乏可移動載子"才謂之空乏區嗎?
: : 雖然定性上大概猜還是有啦~~
: 當然有囉.
: : 不過有比較定量上的描述嗎??
: 推導二極體一開始有一個假設叫做depletion approximation.
: 假設一個空乏區區段，其中carrier濃度低到可以忽略
: 這僅是對於gauss' law來說可以忽略，
: 但是carrier (electron/hole) 不為0
: 事實上，除非到0度K，
: 否則即使是intrinsic Silicon，也都有非零的carrier濃度存在.
: 這些低濃度的carrier有時會扮演關鍵的角色。
: 定量上，在depletion範圍內
: 使用一樣的濃度公式
: Ef - Ei
: n = ni* exp(---------)
: kT
: 只是它的 (Ef -Ei) 沿著depletion region 會一直改變. (看band diagram)
^^^^^^^^^^^ 這是??抱歉~少見多怪= =
: 此carrier濃度公式適用平衡條件下的condition。
那麼為何電子濃度是"下降"勒??此外電子濃度下降~根據你提到的mass-action law
電洞濃度應該會上升...那應該會有很大量的淨載子量...
但為什麼空乏區仍是缺乏可移動載子?
此外...低濃度的載子什麼時候重要阿???
不然感覺上討論沒有實質意義...
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