Re: [問題]請問pn接面二極體的空乏區
※ 引述《Yangbin (Yangbin)》之銘言：
: ※ 引述《wqert (衝衝衝)》之銘言：
: : 因為在固定溫度，以及穩態的條件下
: : 電子濃度乘以電洞濃度為一定值
: : (其值為 ni^2)
: : 電子濃度下降，電洞濃度自然就要上升.
: : ni是intrinsic density
: : 對矽/室溫來說是1.45E-10 1/cm^3.
: 謝謝你的回應~~
: 不過我的問題比較接近為什麼在n區的空乏區
: 電子會濃度會減少??
但是空乏區不是因為"缺乏可移動載子"才謂之空乏區嗎?
雖然定性上大概猜還是有啦~~
不過有比較定量上的描述嗎??
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