Re: [問題]請問pn接面二極體的空乏區
※ 引述《Yangbin (Yangbin)》之銘言：
: ※ 引述《Yangbin (Yangbin)》之銘言：
: : 謝謝你的回應~~
: : 不過我的問題比較接近為什麼在n區的空乏區
: : 電子會濃度會減少??
: 但是空乏區不是因為"缺乏可移動載子"才謂之空乏區嗎?
: 雖然定性上大概猜還是有啦~~
當然有囉.
: 不過有比較定量上的描述嗎??
推導二極體一開始有一個假設叫做depletion approximation.
假設一個空乏區區段，其中carrier濃度低到可以忽略
這僅是對於gauss' law來說可以忽略，
但是carrier (electron/hole) 不為0
事實上，除非溫度到0K，
否則即使是intrinsic Silicon，也都有非零的carrier濃度存在.
這些低濃度的carrier有時會扮演關鍵的角色。
定量上，在depletion範圍內
使用一樣的濃度公式
Ef - Ei
n = ni* exp(---------)
kT
只是它的 (Ef -Ei) 沿著depletion region 會一直改變. (看band diagram)
此carrier濃度公式適用平衡條件下的condition。
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◆ From: 122.120.37.217
※ 編輯: wqert 來自: 122.120.34.145 (08/12 09:32)
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