Re: [問題]請問pn接面二極體的空乏區

看板Physics作者 (Yangbin)時間17年前 (2008/08/10 17:25), 編輯推噓1(103)
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※ 引述《wqert (衝衝衝)》之銘言: : ※ 引述《Yangbin (Yangbin)》之銘言: : : 如題 : : 就是為什麼在n區的空乏區 : : 電子濃度會減少...電洞濃度會增加?? : 因為在固定溫度,以及穩態的條件下 : 電子濃度乘以電洞濃度為一定值 : (其值為 ni^2) : 電子濃度下降,電洞濃度自然就要上升. : ni是intrinsic density : 對矽/室溫來說是1.45E-10 1/cm^3. : : 是因為擴散電流以多數載子電洞由p到n 電子由n到p嗎?? : : 以上是猜測~~不知道哪本書有寫~~還是我沒念懂~~ 謝謝你的回應~~ 不過我的問題比較接近為什麼在n區的空乏區 電子會濃度會減少?? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 59.127.163.150

08/10 17:43, , 1F
不知道有沒有誤會: 他說的減少應該只是相對於N side doping
08/10 17:43, 1F

08/10 17:43, , 2F
濃度的減少. 因為depletion region,如果有大量的eletron
08/10 17:43, 2F

08/10 17:44, , 3F
也會被對面擴散過來的hole給recombine掉.
08/10 17:44, 3F

08/10 17:46, , 4F
所以最後平衡時的濃度, 就很低了.
08/10 17:46, 4F
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