Re: [問題] 關於RIE側壁不夠垂直
※ 引述《NightMoon33 (夜月)》之銘言：
: ※ 引述《uehara19k ()》之銘言：
: : 各位大大好
: : 我的材料是四族
: : 深寬比約0.1
: : 使用的光阻是AZ5214(2000rpm)
: : post bake 150度10min(hot plate)
: : RIE用的氣體是CF4(80%) O2(10%) Ar(10%)
: : RF power 30w
: : 目前吃出來的圖形總是會呈現梯形___◢████████◣___
: : 離老師要求的垂直側壁 ___██████████___
: : 還差很遠Orz
: : 請問我該如何改進才能達到我的要求呢??
: : 抱歉這問題可能有點淺，但我念機械出身半導體製程實在很苦手...
: : 麻煩各位解答了
: 原po你好，我碩士班也有花了數個月測試RIE蝕刻的側壁筆直性
: 不過我的深寬比是1.67，深度約250 nm，寬度約 150 nm，而且我蝕刻的是介電質材料
: 希望一些經驗可以幫到你
: 那時候的學長是說化學蝕刻氣體"比例"千萬不能動，化學氣體比例是影響最劇烈的
: 在這裡指的就是CF4和O2兩個氣體的比例千萬不要動
: 再來是製程真空度，一般來說，如果側壁要越筆直，則真空度就要越低
: 所以我當初是設定RIE機台的最低真空度: 20 mTorr
: 不過真空度會容易造成光阻被轟擊的更劇烈，所以要特別考慮選擇比和光阻去除的問題
: 如果調低真空度測試過還是不行的話，再去調動Ar和RF Power
: 調動Ar可以增加化學性蝕刻，但是光阻也更容易被轟擊
: 而調動RF Power是控制氣體的解離量
: 如果我是你，我會先以原有的參數並調低製程真空度到機台最低範圍
: 如果不行再微調氣體流量
: 作個Ar 15%和RF Power 25W、40W
: 這樣交叉組合大概會作3個測試實驗
: 從中取側壁角度最大的參數再繼續往那方向作修改
: 希望可以幫助到你，祝你早日實驗成功~
原po那個是削角，頂部尖角被削掉了，而不是側壁傾斜
基本上那是Bias太高了，或是一開始光阻尖角部分就被轟圓了
所以說不定要反其道而行，拉高氣壓
或是減少Ar，降低物理性轟擊
如果因此造成側壁傾斜，再去調整C/F比
如果是ICP/TCP我會建議拉高Top power，降低Bias
還有，先去查黃光，我會懷疑曝光時間與顯影時間太長
頂端尖角本來就不夠強壯
在底部不出現footing的狀況下，減少這兩個時間
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