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討論串[問題] 關於RIE側壁不夠垂直
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#1
[問題] 關於RIE側壁不夠垂直
推噓2(2推 0噓 0→)留言2則，0人參與, 最新作者uehara19k時間10年前 (2014/03/03 23:53), 編輯資訊
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各位大大好. 我的材料是四族. 深寬比約0.1. 使用的光阻是AZ5214(2000rpm). post bake 150度10min(hot plate). RIE用的氣體是CF4(80%) O2(10%) Ar(10%). RF power 30w. 目前吃出來的圖形總是會呈現梯形___◢███
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#2
Re: [問題] 關於RIE側壁不夠垂直
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者NightMoon33 (夜月)時間10年前 (2014/04/10 23:00), 編輯資訊
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原po你好，我碩士班也有花了數個月測試RIE蝕刻的側壁筆直性. 不過我的深寬比是1.67，深度約250 nm，寬度約 150 nm，而且我蝕刻的是介電質材料. 希望一些經驗可以幫到你. 那時候的學長是說化學蝕刻氣體"比例"千萬不能動，化學氣體比例是影響最劇烈的. 在這裡指的就是CF4和O2兩個氣體的
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#3
Re: [問題] 關於RIE側壁不夠垂直
推噓2(2推 0噓 9→)留言11則，0人參與, 最新作者SkyLark2001 ( )時間10年前 (2014/04/11 07:44), 10年前編輯資訊
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板上討論黃光的比較多，畢竟是microfabrication的第一步，黃光之外的其他製程. 討論相較之下會比較少一點。前一篇文章寫得很好，不過在這邊補一些觀念釐清，. 以供對之後有需要對乾蝕刻製程的先進參考. CF4跟O2比例不是不能動。. 事實上RIE製程中加入O2的原因，是因為要在反應中. 將O
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#4
Re: [問題] 關於RIE側壁不夠垂直
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者NicolaiGedda (Nicolai Gedda)時間10年前 (2014/04/23 04:19), 編輯資訊
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原po那個是削角，頂部尖角被削掉了，而不是側壁傾斜. 基本上那是Bias太高了，或是一開始光阻尖角部分就被轟圓了. 所以說不定要反其道而行，拉高氣壓. 或是減少Ar，降低物理性轟擊. 如果因此造成側壁傾斜，再去調整C/F比. 如果是ICP/TCP我會建議拉高Top power，降低Bias. 還有，
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