Re: [問題] 關於RIE側壁不夠垂直
※ 引述《uehara19k ()》之銘言:
: 各位大大好
: 我的材料是四族
: 深寬比約0.1
: 使用的光阻是AZ5214(2000rpm)
: post bake 150度10min(hot plate)
: RIE用的氣體是CF4(80%) O2(10%) Ar(10%)
: RF power 30w
: 目前吃出來的圖形總是會呈現梯形___◢████████◣___
: 離老師要求的垂直側壁 ___██████████___
: 還差很遠Orz
: 請問我該如何改進才能達到我的要求呢??
: 抱歉這問題可能有點淺,但我念機械出身半導體製程實在很苦手...
: 麻煩各位解答了
原po你好,我碩士班也有花了數個月測試RIE蝕刻的側壁筆直性
不過我的深寬比是1.67,深度約250 nm,寬度約 150 nm,而且我蝕刻的是介電質材料
希望一些經驗可以幫到你
那時候的學長是說化學蝕刻氣體"比例"千萬不能動,化學氣體比例是影響最劇烈的
在這裡指的就是CF4和O2兩個氣體的比例千萬不要動
再來是製程真空度,一般來說,如果側壁要越筆直,則真空度就要越低
所以我當初是設定RIE機台的最低真空度: 20 mTorr
不過真空度會容易造成光阻被轟擊的更劇烈,所以要特別考慮選擇比和光阻去除的問題
如果調低真空度測試過還是不行的話,再去調動Ar和RF Power
調動Ar可以增加化學性蝕刻,但是光阻也更容易被轟擊
而調動RF Power是控制氣體的解離量
如果我是你,我會先以原有的參數並調低製程真空度到機台最低範圍
如果不行再微調氣體流量
作個Ar 15%和RF Power 25W、40W
這樣交叉組合大概會作3個測試實驗
從中取側壁角度最大的參數再繼續往那方向作修改
希望可以幫助到你,祝你早日實驗成功~
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