Re: [問題] 費米能階的移動方向
※ 引述《dry123 (dry123)》之銘言：
: 因為要講解給朋友聽，所以想詢問的更清楚
: 請參考以下網址的圖
: http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/hehenberger/dissap2.html
: 不知道下面的解釋是否正確，若是有不正確的地方還請各位提出。
: 以 p-substrate在累積狀況(上排最左邊第一張)為例子
: 此狀況下
: Metal加負電壓，p-substrate接地
: 因為電壓源會將電子灌入Metal，讓Metal處在高能階的電子機率增加
: 所以Metal的Ef會整條往高能量的方向移動；
其實不用那麼複雜, 簡單說就是負偏壓處金屬整體電子的電子位能較高
: p-substrate接地，並無電子進入p-substrate，p-substrate中也沒有電流
: 所以p-substrate整條Ef的能量不動，也不會彎曲
結構是MOS Cap, 以左上圖來說, 金屬加負偏壓後電子從p-substrate流出至金屬
讓p-substrate的電洞在氧化層接面聚集, 也就是MOS Cap處於accumulation模式
Ef在淨電流為0的情況下是平的
: 但p-substrate靠近oxide的介面處，oxide電場關係讓電洞聚集
: 會讓靠近oxide的介面處的Ec、Ev能帶往上彎。
: 另外，這邊我就不了解了，何種原因會讓靠近oxide的介面處的Ec、Ev能帶往上彎，
: 以及如何分辨靠近oxide的介面處的Ec、Ev能帶往上還是往下彎
: 請教各位。
往上彎: 接面處電洞濃度比遠離接面處還高的情況, 因為Ef更靠近Ev
往下彎: 接面處電子濃度比遠離接面處還高的情況, 因為Ef更靠近Ec
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 129.219.112.91
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1550556335.A.2F7.html
推
02/20 22:17,
5年前
, 1F
02/20 22:17, 1F
討論串 (同標題文章)