[問題] 費米能階的移動方向

看板Electronics作者 (dry123)時間7年前 (2019/02/15 16:48), 7年前編輯推噓2(2推 0噓 3→)
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半導體的教科書都會寫 在讀MOS電容器的做動原理時 在Metal部分加負偏壓時， Metal部分的費米能階的移動方向是往"上"， 同時，Semiconductor部分，連接氧化層的一端的傳導帶、本質能階以及價帶都會一起往" 上"平移， 但遠離氧化層的一端的傳導帶、本質能階以及價帶都不動。 但是Semiconductor部分的費米能階是整個平移 有疑問的地方是： 1.為何在Metal部分加負偏壓時，METAL的費米能階整個都在動 而Semiconductor部分只有連接氧化層的一端的能帶會動 且Semiconductor部分的費米能階整個平移? 物理原理怎解釋? 2.移動方向的問題。 加了負偏壓灌入電子後，為何會往"上"移動 此兩個問題請教各位，謝謝！ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 180.217.128.147 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1550220514.A.107.html ※ 編輯: dry123 (180.217.128.147), 02/15/2019 16:49:53
推
02/15 18:33, 7年前 , 1F
1. 金屬的電荷只會聚集在接面 沒有內部電子濃度不均的
02/15 18:33, 1F
→
02/15 18:34, 7年前 , 2F
情況 也就是金屬的導帶不會"彎"
02/15 18:34, 2F
→
02/15 18:35, 7年前 , 3F
2. 因為往上代表電子能量越高 加負偏壓對電子來說就是
02/15 18:35, 3F
→
02/15 18:35, 7年前 , 4F
位能高
02/15 18:35, 4F
推
02/16 20:16, 7年前 , 5F
費米能階是代表有一半電子數在此之上
02/16 20:16, 5F
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