Re: [問題] 費米能階的移動方向
因為要講解給朋友聽，所以想詢問的更清楚
請參考以下網址的圖
http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/hehenberger/dissap2.html
不知道下面的解釋是否正確，若是有不正確的地方還請各位提出。
以 p-substrate在累積狀況(上排最左邊第一張)為例子
此狀況下
Metal加負電壓，p-substrate接地
因為電壓源會將電子灌入Metal，讓Metal處在高能階的電子機率增加
所以Metal的Ef會整條往高能量的方向移動；
p-substrate接地，並無電子進入p-substrate，p-substrate中也沒有電流
所以p-substrate整條Ef的能量不動，也不會彎曲
但p-substrate靠近oxide的介面處，oxide電場關係讓電洞聚集
會讓靠近oxide的介面處的Ec、Ev能帶往上彎。
另外，這邊我就不了解了，何種原因會讓靠近oxide的介面處的Ec、Ev能帶往上彎，
以及如何分辨靠近oxide的介面處的Ec、Ev能帶往上還是往下彎
請教各位。
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