看板 [ Electronics ]
討論串[問題] 費米能階的移動方向
共 3 篇文章
內容預覽： 開啟 | 關閉 | 只限未讀
首頁
上一頁
1
下一頁
尾頁
#3
Re: [問題] 費米能階的移動方向
推噓1(1推 0噓 0→)留言1則，0人參與, 6年前最新作者timmerix (GAIA)時間6年前 (2019/02/19 14:05), 編輯資訊
0
0
1
內容預覽:
其實不用那麼複雜, 簡單說就是負偏壓處金屬整體電子的電子位能較高. 結構是MOS Cap, 以左上圖來說, 金屬加負偏壓後電子從p-substrate流出至金屬. 讓p-substrate的電洞在氧化層接面聚集, 也就是MOS Cap處於accumulation模式. Ef在淨電流為0的情況下是平的
(還有38個字)
#2
Re: [問題] 費米能階的移動方向
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者dry123 (dry123)時間6年前 (2019/02/18 19:22), 編輯資訊
0
0
1
內容預覽:
因為要講解給朋友聽，所以想詢問的更清楚. 請參考以下網址的圖. http://www.iue.tuwien.ac.at/phd/hehenberger/dissap2.html. 不知道下面的解釋是否正確，若是有不正確的地方還請各位提出。. 以 p-substrate在累積狀況(上排最左邊第一張)為
(還有293個字)
#1
[問題] 費米能階的移動方向
推噓2(2推 0噓 3→)留言5則，0人參與, 6年前最新作者dry123 (dry123)時間6年前 (2019/02/15 16:48), 6年前編輯資訊
0
0
0
內容預覽:
半導體的教科書都會寫. 在讀MOS電容器的做動原理時. 在Metal部分加負偏壓時，. Metal部分的費米能階的移動方向是往"上"，. 同時，Semiconductor部分，連接氧化層的一端的傳導帶、本質能階以及價帶都會一起往"上"平移，. 但遠離氧化層的一端的傳導帶、本質能階以及價帶都不動。.
(還有213個字)
首頁
上一頁
1
下一頁
尾頁