Re: [問題] IC設計, 負載推動能力的問題

看板Electronics作者deathcustom (litron-intl)時間14年前 (2011/12/26 22:41)推噓4(4推 0噓 5→)

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※ 引述《sos88 (QQ)》之銘言： : 想請問一下關於CMOS 電流驅動力與下一級負載推動力的問題 : 一個CMOS 反相器, 要rising與falling速度相同, : 必須使其 P,N的 Mobi與 W/L 乘積相同 : 1. 一個CMOS NAND在falling特性會較為不理想 : 原因為何? : 2. 那負載推動力呢?? 一般該如何去估算?? 下一級的面積? : 如果一個CMOS inv 推一個CMOS NAND 且其充放電速度需相同 : 其面積比該怎麼去給訂呢?? : 這兩個問題, 不知道是否有相關的資料呢?? 我有找了一些, 目前電流驅動力 : 我比較能掌握, 但負載推動力就理解的很差詳細資料請去找Rabaey教授的書跟投影片 NAND以two input為例上面是兩個PMOS並聯下面是兩個NMOS串連假設P是4/1，N是2/1 那上面導通時的最佳電流等於兩個PMOS 最差電流等於一個PMOS 而下面導通時的電流只等於1/2個NMOS 在設計2-input NAND時，P用4/1，N也用4/1 (如果2/1是基本的一個NMOS的話) 至於推動力關鍵不在面積，而在等效電容如何去估計等效電容在SMITH跟RABAEY都有陳述以上請自己去翻書吧...... -- 地獄吼普通英雄種族 ID 職業等級 GS 進度進度專業夜精靈流星塵戰鬥賊 80 6120 10/12 7/12 珠寶450 製皮450 夜夜精靈納夏斯巴農獸王射擊獵 80 5955 10/12 2/12 採礦450 剝皮450 精夜精靈大法師雀鷹坦克恢復德 80 6010 9/12 1/12 附魔450 剝皮199 魂獵人居然先拿到誅王勇者，小D的GS居然比獵人還高，世界真是無奇不有 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 117.19.193.192

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