[問題] IC設計, 負載推動能力的問題
想請問一下關於CMOS 電流驅動力與下一級負載推動力的問題
一個CMOS 反相器, 要rising與falling速度相同,
必須使其 P,N的 Mobi與 W/L 乘積相同
1. 一個CMOS NAND在falling特性會較為不理想
原因為何?
2. 那負載推動力呢?? 一般該如何去估算?? 下一級的面積?
如果一個CMOS inv 推一個CMOS NAND 且其充放電速度需相同
其面積比該怎麼去給訂呢??
這兩個問題, 不知道是否有相關的資料呢?? 我有找了一些, 目前電流驅動力
我比較能掌握, 但負載推動力就理解的很差
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